[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201110410407.8 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN103165508A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 宋化龙;韩永召 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法,包括:
提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽;
对所述半导体衬底执行第一离子注入步骤,以于所述沟槽的底部形成一P型阱区;
使用隔离材料填充所述沟槽;
对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤,以于所述半导体衬底中形成多个n型阱区;
所述P型阱区位于所述多个n型阱区之间。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括对所述半导体衬底进行退火的步骤,以活化注入到所述P型阱区和所述n型阱区中的离子。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述沟槽的步骤包括在所述半导体衬底上形成硬掩膜层的步骤,图案化所述硬掩膜层的步骤,以所述图案化了的硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底的步骤。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述硬掩膜层包括自下而上的氧化物层和氮化物层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述氧化物层为氧化硅,所述氮化物层为氮化硅。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述沟槽执行第一离子注入步骤之前,还包括对所述沟槽的侧壁进行氧化以形成侧壁氧化物的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述隔离材料为氧化物。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述氧化物为HARP或HDP。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述沟槽执行第一离子注入步骤包括在半导体衬底上形成光刻胶层的步骤,以及图案化所述光刻胶层以暴露出所述沟槽的步骤。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤包括在半导体衬底上形成光刻胶层的步骤,以及图案化所述光刻胶层以暴露除所述浅沟槽隔离结构之外的其它部分的步骤。
11.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤之前还包括去除所述硬掩膜层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造