[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110410407.8 申请日: 2011-12-09
公开(公告)号: CN103165508A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 宋化龙;韩永召 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;顾珊
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件的制造方法,包括:

提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽;

对所述半导体衬底执行第一离子注入步骤,以于所述沟槽的底部形成一P型阱区;

使用隔离材料填充所述沟槽;

对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤,以于所述半导体衬底中形成多个n型阱区;

所述P型阱区位于所述多个n型阱区之间。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括对所述半导体衬底进行退火的步骤,以活化注入到所述P型阱区和所述n型阱区中的离子。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述沟槽的步骤包括在所述半导体衬底上形成硬掩膜层的步骤,图案化所述硬掩膜层的步骤,以所述图案化了的硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底的步骤。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述硬掩膜层包括自下而上的氧化物层和氮化物层。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述氧化物层为氧化硅,所述氮化物层为氮化硅。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述沟槽执行第一离子注入步骤之前,还包括对所述沟槽的侧壁进行氧化以形成侧壁氧化物的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述隔离材料为氧化物。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述氧化物为HARP或HDP。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述沟槽执行第一离子注入步骤包括在半导体衬底上形成光刻胶层的步骤,以及图案化所述光刻胶层以暴露出所述沟槽的步骤。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤包括在半导体衬底上形成光刻胶层的步骤,以及图案化所述光刻胶层以暴露除所述浅沟槽隔离结构之外的其它部分的步骤。

11.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤之前还包括去除所述硬掩膜层的步骤。

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