[发明专利]一种热水温差发电装置无效
申请号: | 201110411197.4 | 申请日: | 2011-12-11 |
公开(公告)号: | CN103166519A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 白龙;胡剑峰 | 申请(专利权)人: | 西安大昱光电科技有限公司 |
主分类号: | H02N11/00 | 分类号: | H02N11/00 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 李子安 |
地址: | 710075 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 热水 温差 发电 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种发电装置,尤其是涉及一种热水温差发电装置。
背景技术
在自然界中,温差无处不在,从季节变化的四季温差,昼夜温差,地表与地层下的温差等,这些温差蕴含着巨大的能量,有待于开发和利用。目前国内还存在许多地方长期缺少甚至没有电力供给,在这些无电区域用电难就成了需要迫切解决的难题,但是架设发电机组对于人口低密度聚集区而言又存在成本过大而无法实现的现状。而且传统的自然热发电方式都用热机、发电机或蒸汽轮机作原动机,这样的系统只有在大容量发电的场合才能获得良好的技术经济指标。现在国际上将目标转向无运动部件、无声而且不需维护的直接发电器件(如温差电转换模块),用它们来替代上述能量转换部件,大大简化现有自然热发电系统的能量转换部件结构,获得可观的经济效益。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,根据赛贝克效应原理,提供一种热水温差发电装置,结构简单,节能环保,解决了无电区域人们用电难的问题。另外,在突然停电的情况下,本发明也可以提供应急照明。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种热水温差发电装置,其特征在于:包括吸收太阳光线热辐射的集热器、内部存贮有对半导体发电元件的热端进行加热的热水的储液箱一、内部存贮有对所述半导体发电元件的冷端进行降温的冷水的储液箱二、多个呈平行布设的硅半导体、多个呈平行布设的锗半导体、依次将硅半导体和锗半导体的末端串联起来的多个金属导体、分别从固定在冷端最左端和最右端的两个金属导体上引出的两根电源导线、将从热端传导到冷水中的多余热量迅速散走以保证热端和冷端之间的温差稳定在规定值的冷水散热板、将地下水通过密封管道抽取成为所述冷水的低功耗循环水泵;所述半导体发电元件由硅半导体、锗半导体和金属导体组成,所述硅半导体和锗半导体通过金属导体垂直固定在热端和冷端之间;所述储液箱一为由集热器、热端和侧壁组成的封闭水箱,所述储液箱二为由冷端、冷水散热板和侧壁组成的封闭水箱,所述密封管道安装在所述储液箱二的左右侧壁上,所述低功耗循环水泵安装在密封管道上,所述集热器、半导体发电元件、冷水散热板从上至下依次水平布设;所述硅半导体锗半导体呈交错布设。
上述一种热水温差发电装置,其特征是:所述集热器平板太阳能吸热板。
上述一种热水温差发电装置,其特征是:所述低功耗循环水泵为无刷直流泵。
上述一种热水温差发电装置,其特征是:所述硅半导体和锗半导体均为长条形。
本发明与现有技术相比具有以下优点:结构简单、投入成本低、安装方便、环保、节能,解决了在无电区域居民用电或者停电时急需用电的难题。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明的结构原理示意图。
附图标记说明:
1-集热器; 3-热端; 4-金属导体;
5-电源导线; 6-冷端; 7-冷水散热板;
8-地下水; 9-低功耗循环水泵; 10-密封管道;
11-储液箱二; 12-锗半导体; 13-硅半导体;
14-储液箱一。
具体实施方式
如图1所示,本发明包括吸收太阳光线热辐射的集热器1、内部存贮有对半导体发电元件的热端3进行加热的热水的储液箱一14、内部存贮有对所述半导体发电元件的冷端6进行降温的冷水的储液箱二11、多个呈平行布设的硅半导体13、多个呈平行布设的锗半导体12、依次将硅半导体13和锗半导体12的末端串联起来的多个金属导体4、分别从固定在冷端6最左端和最右端的两个金属导体4上引出的两根电源导线5、将从热端3传导到冷水11中的多余热量迅速散走以保证热端3和冷端6之间的温差稳定在规定值的冷水散热板7、将地下水8通过密封管道10抽取成为所述冷水11的低功耗循环水泵9。所述半导体发电元件由硅半导体13、锗半导体12和金属导体4组成,所述硅半导体13和锗半导体12通过金属导体4垂直固定在热端3和冷端6之间。所述储液箱一14为由集热器1、热端3和侧壁组成的封闭水箱,所述储液箱二11为由冷端6、冷水散热板7和侧壁组成的封闭水箱,所述密封管道10安装在所述储液箱二11的左右侧壁上,所述低功耗循环水泵9安装在密封管道10上,所述集热器1、半导体发电元件、冷水散热板7从上至下依次水平布设。所述硅半导体13和锗半导体12呈交错布设。
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