[发明专利]极低功耗开关型多电源管理电路无效
申请号: | 201110411392.7 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102420535A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 罗杰;李文昌;于廷江;黄国辉;刘剑 | 申请(专利权)人: | 成都成电硅海科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/04 | 分类号: | H02M7/04;H02M1/08 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610041 四川省成都市高新区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功耗 开关 电源 管理 电路 | ||
1.极低功耗开关型多电源管理电路,包括电阻网络模块(4)、功率开关管(5),其特征在于,还包括降压器件(13)、内部低压差电压调制器(14)、比较器(15)、低压控制模块(16)、中压模块(17),低压控制模块(16)的VCC端通过内部低压差电压调制器(14)连接到第一连接点,第一连接点通过电阻网络模块(4)连接到比较器(15)的第一输入端,低压控制模块(16)还与比较器(15)的第二输入端连接,第一连接点与中压模块(17)连接,中压模块(17)连接功率开关管(5)的栅极,功率开关管(5)的栅极还连接到比较器(15)的第三输入端,比较器(15)的输出端连接到降压器件(13)的控制端,降压器件(13)的一端接第一连接点,另一端接输出点(20),输出点(20)接功率开关管(5)。
2.如权利要求1所述的极低功耗开关型多电源管理电路,其特征在于,所述降压器件为Ffet。
3.如权利要求1所述的极低功耗开关型多电源管理电路,其特征在于,所述降压器件为耗尽型MOS管。
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