[发明专利]大功率厚膜片式电阻器的制造方法无效
申请号: | 201110411756.1 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN102496436A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 张青;罗怡;蒲蓉;朱沙;刘剑林;刘金鑫;周瑞山;韩玉成;廖东;陈思纤 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团云科电子有限公司 |
主分类号: | H01C17/065 | 分类号: | H01C17/065;H01C17/242;H01C7/00 |
代理公司: | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 | 代理人: | 杨云 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 膜片 电阻器 制造 方法 | ||
1.一种大功率厚膜片式电阻器的制造方法,包括表电极制作、背电极制作、电阻体制作、激光调阻、玻璃包封、烧成、裂片、端涂、电镀;其特征在于具体方法如下:
1)用去离子水对氮化铝陶瓷基片进行清洗,干燥;
2)在清洗后的氮化铝陶瓷基片表面印刷铂银合金浆料形成表电极,保证印刷厚度干燥后达到16~25μm;其中,铂银合金中金属铂的含量为1%,其余为金属银;
3)在清洗后的氮化铝陶瓷基片背面印刷铂银合金浆料形成背电极,保证印刷厚度干燥后达到10~20μm;
4)将印刷有表电极和背电极的氮化铝陶瓷基片烧结8~12min,烧结温度为850℃;
5)在烧结后的氮化铝陶瓷基片表面印刷氧化钌浆料形成电阻体,保证印刷厚度干燥后达到20~32μm;
6)将印刷有电阻体的氮化铝陶瓷基片烧结8~12min,烧结温度为850℃;
7)在电阻体上印刷玻璃浆料形成一次玻璃体,保证印刷厚度干燥后达到15~25μm;
8)将印刷有一次玻璃体的氮化铝陶瓷基片烧结5~9min,烧结温度为600℃;
9)用功率为0.8~1W、Q开关频率为600~800P/mm、调阻速度为100~300mm/s的激光对电阻体进行S形切割,调节其阻值达目标阻值和精度;
10)用去离子水冲洗电阻体表面,干燥;
11)在一次玻璃体的表面印刷玻璃浆料形成二次玻璃体,保证印刷厚度干燥后达到25~40μm;
12)将印刷有二次玻璃体的氮化铝陶瓷基片分裂成裂片条,在该裂片条的端面涂刷银浆形成端电极;
13)将涂刷有银浆的裂片条烧结5~9min,烧结温度为600℃;
14)将烧结后的裂片条分裂成块状,然后镀镍、镀锡,保证镍层厚度为5~15μm、锡层厚度为6~20μm。
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