[发明专利]压水堆核电站高放废气常温延迟处理用活性炭有效

专利信息
申请号: 201110411855.X 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN102580672A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 谈遗海;杨博;储志军;梁袁平;倪依雨;王鑫;陈斌;翁明辉 申请(专利权)人: 江苏宝宸净化设备有限公司;上海核工程研究设计院
主分类号: B01J20/20 分类号: B01J20/20;G21F9/02
代理公司: 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 代理人: 史建群
地址: 214201 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 压水堆 核电站 废气 常温 延迟 处理 活性炭
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种核电站高放废气常温延迟处理用活性炭,尤其涉及一种对氪、氙吸附选择性强,吸附系数高,强度高,使用寿命长的压水堆核电站高放废气常温延迟处理用活性炭。

背景技术

核电站正常运行时,产生一定量的高放废气,通常流量为3-5m3/h,容控箱扫气时最大时流量可达40-50 m3/h。压水堆核电站(例如AP-1000)高放废气由氢、氮气及痕量的放射性氪(Kr)、氙(Xe)气体组成。高放射性核素存在,使得高放废气比活度达到108~109Bq/t。如不经处理排入大气,被人吸入就会形成内照射,严重影响核电站附近居民健康,因此必须对高放废气进行处理。压水堆核电站中已经使用和正在发展的废气处理技术主要有:加压贮存处理和常温活性炭延迟处理。活性炭延迟处理技术较加压贮存处理具有安全、节能、投资省、占地小的特点,成为高放废气处理优选方式。

现有技术虽有报导采用活性炭吸附放射性氪、氙气,但都注重工艺与装置的开发与改进,极少有涉及吸附用活性炭的研究。而延迟处理用活性炭是处理放射性氪、氙气的关键材料,其物化指标直接决定处理效果(吸附性能和使用寿命),例如吸附选择性与孔径有关;其次,核电站设计使用寿命通常在40年,要求活性炭使用寿命也要达到40年(使用寿命内不更换),活性炭长期处于高幅照环境中,要求物理、化学性质稳定不风化(强度影响耐辐照、抗风化性能),这就需对活性碳强度提出要求,活性炭强度大则使用寿命长,可减少废活性炭更换排放的二次污染,然而客观上活性炭强度与吸附性能(主要为孔容积)互为制约,例如孔容积大,吸附能力强,但强度会下降,使用寿命缩短;再就是,活性炭粒度又会影响气流阻力和吸附效率,粒度小,则阻力大,粒度大,则吸附效率会降低。由于上述因素互为影响,确定活性炭合理的物化指标,是保证含核废气延迟处理系统高效吸附及长寿命的关键。

中国专利CN1210027活性炭纤维用于吸附氙气方法,在真空系统中将活性炭纤维与不同压力的氙气接触并吸附一段时间,应用于核电站及核设施裂变产物排放废气中放射性氙气的脱除。然而采用活性炭纤维作吸附剂(介质),其强度相对较低,使用寿命短,难以满足核电站使用40年不更换的要求;其次,只报导对氙气有吸附作用,对氪气吸附能力低,难以满足压水堆核电站高放废气分离核素要求;再就是,延迟床通常为长径比大(例如25:1)的细长蛇形管,采用活性炭纤维难以在如此结构的延迟床中均匀填充,同样会影响处理效果。尤其是,其并未给出活性炭纤维具体指标要求,难以保证吸附高效和长寿命二者都最优。

上述不足仍有值得改进的地方。

发明内容

本发明目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种对氪、氙吸附选择性强,吸附系数高,强度高,使用寿命长的压水堆核电站高放废气常温延迟处理用活性炭。

本发明目的实现,主要改进是在大量试验基础上,确定压水堆核电站高放废气常温延迟处理用活性炭的主要物化指标,并作为选择活性炭的考核指标,从而克服现有技术的不足,实现本发明目的。具体说,本发明压水堆核电站高放废气常温延迟处理用活性炭,由椰壳为基材制成,其特征在于活性炭强度≥98%,总孔容积>0.4cm3/g,微孔容积占总容积比≥78%,0.6nm-1.1nm间孔径分布比例≥42%,6~12目粒度分布>90%。

申请人经大量试验、测试:发现总孔容积>0.4cm3/g,特别是微孔容积占总孔容积比例≥78%,使得活性炭具有很大吸附容量;在延迟时间一定时可以相对减少延迟床的活性炭用量,从而减小延迟床的体积、占地面积,节约投资;活性炭0.6nm-1.1nm之间孔径分布比例≥42%,对氪、氙气具有很强捕捉力,产生细孔毛细凝聚效应,对kr、Xe吸附量大,特别适合低浓度kr、Xe吸附;6~12目粒度分布>90%,较好地平衡了过滤气流阻力及满足充分吸附两者关系;活性炭强度≥98%,可以满足实际使用40年不风化要求。前述综合指标体,使活性炭使用寿命、对kr、Xe吸附选择性、吸附量三者达到最佳匹配,实现满足使用条件下达到要求的最优化。

本发明中。

活性炭微孔,按IUPAC[国际理论(化学)与应用化学联合会]分类,微孔径半径r<1.0nm为微孔,r在1~25nm为中孔,r>25nm为大孔。

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