[发明专利]磁场传感器有效

专利信息
申请号: 201110412381.0 申请日: 2011-12-12
公开(公告)号: CN102564468A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 罗伯特·H·M·范费尔德温 申请(专利权)人: NXP股份有限公司
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 磁场 传感器
【权利要求书】:

1.一种磁场传感器配置,包括:

参考部件,配置为根据参考部件的位置影响磁场;

第一磁性传感器,与第一磁场敏感方向对准并配置为对该磁场的存在表现出电响应;和

第二磁性传感器,与第二磁场敏感方向对准并配置为对该磁场的存在表现出电响应,第一磁场敏感方向和第二磁场敏感方向彼此偏移,以便于以参考部件与第一磁性传感器和第二磁性传感器之间的不同相对对准检测磁场。

2.根据权利要求1所述的传感器配置,还包括输出电路,该输出电路被连接为接收所述传感器的所述电响应并将所述电响应结合以产生表示参考部件的位置特性的输出。

3.根据权利要求1所述的传感器配置,还包括处理器电路,该处理器电路被连接为接收所述传感器的所述电响应,处理所述电响应以确定所述磁场相对于所述传感器中的至少一个的取向,并且基于所确定的所述磁场的取向结合所述电响应。

4.根据权利要求1所述的传感器配置,还包括处理器电路,该处理器电路被连接为接收所述传感器的所述电响应,并且

处理所述电响应,以基于两个传感器的所述电响应的导数确定所述磁场相对于所述传感器中的至少一个的取向,并且

基于所确定的所述磁场的取向结合所述电响应。

5.根据权利要求1所述的传感器配置,还包括处理器电路,该处理器电路被连接为接收所述传感器的所述电响应,并且

计算所述传感器的所述电响应中的每一个的导数,

基于计算出的导数确定所述磁场相对于所述传感器中的至少一个的取向,并且

基于所确定的所述磁场的取向结合所述电响应。

6.根据权利要求1所述的传感器配置,还包括偏移场补偿电路,该偏移场补偿电路配置为去除所述传感器中的一个的输出中对应于偏置场的直流偏移场分量,以便于零交叉检测。

7.根据权利要求1所述的传感器配置,其中

参考部件包括通过产生磁场影响所述磁场的区域,并且

所述传感器配置为感测所产生的磁场以识别参考部件的位置特性。

8.根据权利要求1所述的传感器配置,其中

参考部件为具有包括产生磁场的区域的交替区域的可旋转轮,

所述传感器设置在与所述可旋转轮的表面平行的平面中,

所述传感器配置为在所述轮旋转时基于所述磁场相对于所述传感器的定位感测所述可旋转轮的位置特性。

9.根据权利要求1所述的传感器配置,其中

参考部件为具有包括产生磁场的区域的交替区域的可旋转轮,

所述传感器设置在与所述可旋转轮的表面垂直的平面中,

所述传感器配置为在所述轮旋转时基于所述磁场相对于所述传感器的定位感测所述可旋转轮的位置特性。

10.根据权利要求1所述的传感器配置,其中

参考部件包括多个交替区域,所述多个交替区域包括产生具有第一极性的磁场的区域和产生具有与第一极性相反的相反极性的磁场的区域,并且

所述传感器配置为在参考部件移动时基于各个磁场相对于所述传感器的定位感测参考部件的位置特性。

11.根据权利要求1所述的传感器配置,其中

参考部件包括影响所述传感器处的磁场的区域,并且

所述传感器配置为感测对磁场的影响,以识别参考部件的位置特性。

12.根据权利要求1所述的传感器配置,其中

参考部件包括不同地影响所述传感器处的磁场的多个交替区域,并且

所述传感器配置为在参考部件移动时基于对磁场的影响感测参考部件的位置特性。

13.根据权利要求1所述的传感器配置,

还包括磁性部件,该磁性部件独立于参考部件并配置为在所述传感器处产生磁场,并且

其中

参考部件包括不同地影响所述传感器处的磁场的多个交替区域,并且

所述传感器配置为在参考部件移动时基于对磁场的影响感测参考部件的位置特性。

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