[发明专利]一种等离子体浸没注入装置有效
申请号: | 201110412440.4 | 申请日: | 2011-12-12 |
公开(公告)号: | CN103165376A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 李超波;刘杰;屈芙蓉;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H05H1/46 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 浸没 注入 装置 | ||
1.一种等离子体浸没注入装置,包括真空腔室、注入电极、电源部分和真空系统,其特征在于:所述真空腔室包括预注入腔室和注入腔室,所述预注入腔室和注入腔室之间设有插板阀,所述插板阀控制所述预注入腔室与所述注入腔室连通或隔开,所述注入电极设置在所述注入腔室内。
2.如权利要求1所述的等离子体浸没注入装置,其特征在于:所述预注入腔室与所述注入腔室的材质为铝。
3.如权利要求1所述的等离子体浸没注入装置,其特征在于:所述注入电极的材质为铝。
4.如权利要求1所述的等离子体浸没注入装置,其特征在于:所述电源部分包括等离子体脉冲射频电源和注入偏置电源,所述等离子体脉冲射频电源用于激励进入所述注入腔室的工艺气体放电产生等离子体,所述注入偏置电源用于将偏置电压加至所述注入电极。
5.如权利要求1所述的等离子体浸没注入装置,其特征在于:所述真空系统包括预注入腔室真空装置和注入腔室真空装置;所述预注入腔室真空装置包括第一机械泵,用于抽取控制所述预注入腔室的真空度;所述注入腔室真空装置包括第二机械泵和第一分子泵,所述第二机械泵和所述第一分子泵组合抽取控制所述注入腔室的真空度。
6.如权利要求1所述的等离子体浸没注入装置,其特征在于:所述真空系统包括第三机械泵和第二分子泵,所述第三机械泵用于抽取控制所述预注入腔室的真空度,所述第三机械泵和所述第二分子泵组合抽取控制所述注入腔室的真空度。
7.如权利要求1所述的等离子体浸没注入装置,其特征在于:所述注入装置包括冷却系统,所述冷却系统包括注入电极冷却装置和真空系统冷却装置;所述注入电极冷却装置的冷却方式为氦气冷却和水冷却,所述真空冷却装置的冷却方式为水冷却。
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