[发明专利]用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法在审
| 申请号： | 201110412556.8 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165372A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 汪明刚;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 浸没 注入 控制 元素 分布 陡度 方法 | ||
1.一种用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，通过多能量注入的方式进行离子注入掺杂。
2.如权利要求1所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，所述多能量是在一个能量区间的不同能量，所述能量区间存在最低能量与最高能量。
3.如权利要求2所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，所述最低能量是实现掺杂元素注入而不沉积在硅基片表面的最小能量，所述最高能量是注入结深的最大注入能量。
4.如权利要求3所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，所述最低能量是零。
5.如权利要求2所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，所述多能量注入的方式为注入能量在位于最低能量与最高能量之间随时间连续变化或者不连续变化。
6.如权利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量从最低能量随时间变化到最高能量，或者是注入能量从最高能量随时间变化到最低能量。
7.如权利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量从最低能量随时间变化到最高能量并从最高能量变化到最低能量，或者是注入能量从最高能量随时间变化到最低能量并从最低能量变化到最高能量。
8.如权利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量在最低能量与最高能量之间以预设规律随时间连续变化或者不连续变化。
9.如权利要求8所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量在最低能量与最高能量之间以预设规律随时间连续或者不连续的周期变化。
10.如权利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，在进行离子注入掺杂时，多次以多能量注入的方式进行离子注入掺杂。
11.如权利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量的控制由负直流偏置电压或脉冲直流偏压实现，注入能量与负偏置电压之间具有线性关系。
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