[发明专利]准绝缘体上硅场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种准绝缘体上硅场效应晶体管的制备方法，包括：

提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上形成浅沟槽隔离；

在半导体衬底上依次沉积栅氧化层、多晶硅层及硬掩膜层；

图案化硬掩膜，以所述图案化的硬掩膜为阻挡依次刻蚀多晶硅层及栅氧化层形成栅极结构，并在所述栅极结构外侧形成第一侧墙；

以所述栅极结构、浅沟槽隔离以及所述第一侧墙作为阻挡刻蚀所述半导体衬底至距所述半导体衬底表面第一深度H1，形成第一凹槽；

在所述第一侧墙表面和第一凹槽侧壁及底面中进行化学气相沉积氧化物，其中，所述化学气相沉积的温度不高于650℃；

在所述第一凹槽内沉积源漏区材料层，并以所述浅沟槽隔离、栅极结构以及第一侧墙表面氧化物作为阻挡，对源漏区材料层进行刻蚀至距所述半导体衬底表面第二深度H2，以形成第二凹槽，其中，所述H2小于H1，以暴露所述第一侧墙表面氧化物及部分第一凹槽侧壁上的氧化物；

刻蚀去除所述暴露的氧化物，以暴露所述第一侧墙及对应所述部分第一凹槽侧壁上的氧化物的部分衬底，再次沉积源漏区材料层，并刻蚀形成未掺杂的源漏区；

对所述未掺杂的源漏区进行离子注入，形成源漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀去除所述暴露的氧化物后，以暴露的半导体衬底部分为种子层进行选择性外延后，再次沉积源漏区材料层，并刻蚀形成未掺杂的源漏区。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在第一凹槽内沉积源漏区材料层后，刻蚀形成所述第二凹槽前，还包括有以栅极结构上的图案化的硬掩膜层为停止层，进行化学机械研磨的步骤；

所述再次沉积源漏区材料层，并刻蚀形成未掺杂的源漏区的步骤包括：沉积源漏区材料层，以栅极结构顶端所述图案化的硬掩膜层为停止层，进行化学机械研磨，以分开源漏区；刻蚀所述源漏区材料层，使所述源漏区材料层表面高于所述栅氧化层表面。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成源漏区的步骤包括：以所述栅极结构及第一侧墙作为阻挡，对所述未掺杂源漏区进行离子注入，以形成轻掺杂漏极区；在所述第一侧墙表面形成所述第二侧墙，以所述栅极结构及第二侧墙为阻挡，进行离子注入，以形成源漏区。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底材料为单晶硅，所述硬掩膜层和第一侧墙材料为氮化硅，所述氧化物材料为氧化硅，所述源漏区材料层的材料为多晶硅，所述第二侧墙材料为氧化硅。