[发明专利]MOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种MOS器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，在整个所述有源区中形成有第二导电类型的阱区；栅极由依次形成于所述有源区上的栅氧化硅层和栅多晶硅层组成；被所述栅极所覆盖的所述阱区为沟道区，其特征在于：

在俯视面上：

所述栅极呈一蜿蜒型曲线的结构，包括多根平行且等间距排列的第一栅极条；各所述第一栅极条位于所述有源区上且各所述第一栅极条的两端都延伸到所述有源区外部两侧的所述浅槽场氧上；各相邻的所述第一栅极条间连接有第二栅极条，连接关系为：当前第一栅极条的一端和其前一个第一栅极条的相同端相连、当前第一栅极条的另一端和其后一个第一栅极条的相同端相连，位于最外侧的两个所述第一栅极条只有一端和其相邻的第一栅极条相连、另一端连接一第二栅极条；

两个源漏区分别形成于所述栅极的两侧，各所述源漏区分别和一形成于所述浅槽场氧上的锗硅多晶硅层相连，在各所述锗硅多晶硅层上分别形成有金属接触并引出各源漏极；

在垂直于所述第一栅极条的剖面上：

所述源漏区被各所述第一栅极条分隔层多个源漏区单元；各所述源漏区单元都包括源漏掺杂区和源漏多晶硅层，所述源漏掺杂区形成于各所述第一栅极条两侧的所述有源区中，所述源漏多晶硅层位于各所述第一栅极条两侧的所述有源区上方并延伸到所述浅槽场氧上；各所述第一栅极条的同一侧的所述源漏掺杂区和所述源漏多晶硅层相接触组成各所述源漏区单元；

位于所述栅极两侧的所述源漏多晶硅层在所述浅槽场氧的上方连接在一起使位于所述栅极两侧的各所述源漏区单元连接在一起分别形成各所述源漏区；各所述锗硅多晶硅层和所述浅槽场氧间隔离有第一阻挡介质膜，各所述源漏区的所述源漏多晶硅层的侧面分别和对应的所述锗硅多晶硅层相接触；所述源漏掺杂区、所述源漏多晶硅层和所述锗硅多晶硅层为第一导电类型掺杂。

2.如权利要求1所述MOS器件，其特征在于：所述MOS器件为NMOS器件，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；所述阱区为所述P阱区。

3.如权利要求1所述MOS器件，其特征在于：所述MOS器件为PMOS器件，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；所述阱区为所述N阱区。

4.如权利要求1所述MOS器件，其特征在于：所述栅多晶硅层的厚度为1500埃～2000埃；所述源漏多晶硅层的厚度为500埃～1500埃；所述源漏掺杂区的结深为500埃～1500埃；所述锗硅多晶硅层的厚度为500埃～1500埃。

5.如权利要求1所述MOS器件，其特征在于：所述源漏多晶硅层和所述锗硅多晶硅层的掺杂杂质都为源漏注入杂质，所述源漏掺杂区为所述源漏多晶硅层的源漏注入杂质在所述有源区中的扩散区。