[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

硅衬底，在所述硅衬底中形成有凹槽；

籽晶层，包含硅并且形成在所述凹槽的底部上；

体层，包含硅锗并且形成在所述凹槽中在所述籽晶层上；以及

帽层，包含硅并且形成在所述体层上，

其中，所述帽层中含有硼。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述体层还包含硼。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述帽层还包含锗。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述籽晶层还包含锗。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述帽层还包含氟。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述凹槽是U形凹槽。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述凹槽是∑形凹槽。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述体层适于用作PMOS晶体管的源极或漏极。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述帽层中的硼的浓度为1×10¹⁸原子/cm³至5×10²⁰原子/cm³。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中

所述帽层上具有包含镍硅的电接触层。

11.一种半导体器件，包括：

硅衬底，在所述硅衬底中形成有凹槽；

籽晶层，包含硅并且形成在所述凹槽的底部上；

体层，包含碳化硅并且形成在所述凹槽中在所述籽晶层上；以及

帽层，包含硅并且形成在所述体层上，

其中，所述帽层中含有磷和砷中的至少一种。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中

所述籽晶层包含碳化硅。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其中

所述帽层包含碳化硅。

14.如权利要求11所述的半导体器件，其中

所述凹槽是U形凹槽。

15.如权利要求11所述的半导体器件，其中

所述凹槽是∑形凹槽。

16.如权利要求11所述的半导体器件，其中

所述半导体器件用于形成NMOS晶体管的源极或漏极。

17.如权利要求11所述的半导体器件，其中

所述帽层中的磷和砷的浓度总和为1×10¹⁸原子/cm³至5×10²⁰原子/cm³。

18.如权利要求11所述的半导体器件，其中

所述帽层上具有包含镍硅的电接触层。

19.一种半导体器件制造方法，包括：

在硅衬底中形成凹槽；

在所述凹槽的底部形成包含硅的籽晶层；

在所述凹槽中在所述籽晶层上生长包含硅锗的体层；以及

在所述体层上形成包含硅的帽层，其中所述帽层包含硼。

20.如权利要求19所述的方法，其中

所述帽层是通过外延生长来形成的，其中工艺气体包含BH₃、B₂H₆、BF₃和BCl₃中的至少一个、SiH₄和SiH₂Cl₂中的至少一个、以及氢气。

21.如权利要求19所述的方法，其中

所述体层是通过选择性外延生长来形成的，其中工艺气体包含SiH₄或SiH₂Cl₂，并且所述工艺气体包含GeH₄和氢气。