[发明专利]OLED器件的半透明阴极及OLED器件无效
| 申请号： | 201110413449.7 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103165823A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 曹进;王立;荣佳玲;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 200072 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 器件 半透明 阴极 | ||
1.一种OLED器件的半透明阴极，其特征在于，所述半透明阴极由掺杂碳酸铯的高导电金属制成，所述高导电金属选自银、铝、铜中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的OLED器件的半透明阴极，其特征在于，所述碳酸铯的掺杂质量浓度为1％～30％。
3.根据权利要求1所述的OLED器件的半透明阴极，其特征在于，所述半透明阴极采用真空热蒸发共掺杂工艺进行制作，厚度为10～25纳米。
4.一种OLED器件，包括半透明阴极，其特征在于，所述半透明阴极由掺杂碳酸铯的高导电金属制成，所述高导电金属选自银、铝、铜中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述碳酸铯的掺杂质量浓度为1％～30％。
6.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述半透明阴极采用真空热蒸发共掺杂工艺进行制作，厚度为10～25纳米。
7.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于，还包括反射阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层，所述反射阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层自反射阳极依次叠加排布，所述半透明阴极叠加在所述电子传输层上。
8.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述电子传输层由碳酸铯掺杂的电子传输材料制成，所述空穴阻挡层由所述电子传输材料制成，所述电子阻挡层由空穴传输材料制成，所述空穴传输层由掺杂高功函数无极半导体材料的空穴传输材料制成，所述高功函数无极半导体材料选自氧化钼、氧化钨、五氧化二钒中的一种或多种。
9.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述空穴传输材料选自NPB、TPD、m-MTDATA、2T-NATA、MeO-TPD中的一种或多种，所述电子传输材料选自Alq3、Liq、TPBi、Bphen、BAlq中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的OLED器件，其特征在于，所述反射阳极为50～200纳米的铝或银电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
