[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

依次位于所述半导体衬底上的刻蚀阻挡层和超低K介质层，所述超低K介质层的介电常数范围包括：2.2～2.5，所述超低K介质层具有致密的结构；

位于所述半导体衬底上，且依次被所述超低K介质层和所述刻蚀阻挡层所包围的金属布线层或导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述超低K介质层的材料包括：氮化硼。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述超低K介质层的厚度范围包括：

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的介电常数范围包括：4.1～4.3。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括：氮化硼。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度范围包括：

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底与所述刻蚀阻挡层之间包括：粘合层。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述粘合层的材料包括富硅的氮化物。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述粘合层的厚度范围包括

10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述粘合层和所述刻蚀阻挡层之间包括：吸附层。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述吸附层的材料包括硅。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述吸附层的厚度范围包括

13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层和超低K介质层，所述超低K介质层的介电常数范围包括：2.2～2.5，所述超低K介质层具有致密的结构；

依次刻蚀所述超低K介质层和刻蚀阻挡层至露出所述半导体衬底，形成沟槽；

在所述沟槽中填充满金属层；

对所述金属层进行平坦化处理，所述金属层的上表面与超低K介质层的上表面齐平。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：在形成沟槽之前，在所述超低K介质层上依次形成绝缘层、抗反射层和光刻胶层；对所述光刻胶层进行图案化处理，形成开口图形；以所述光刻胶层为掩模，沿开口图形依次刻蚀所述抗反射层和绝缘层至露出超低K介质层；

去除所述光刻胶层和抗反射层，以所述绝缘层为掩模，刻蚀所述超低K介质层和刻蚀阻挡层至露出半导体衬底，形成沟槽；

在对所述金属层进行平坦化处理时，去除所述绝缘层。

15.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：在形成所述刻蚀阻挡层之前，在所述半导体衬底上形成粘合层。

16.如权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：在形成所述粘合层之后且在形成所述刻蚀阻挡层之前，在所述粘合层上形成吸附层。

17.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述超低K介质层的材料包括：氮化硼。

18.如权利要求17所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括：氮化硼。

19.如权利要求18所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用原位沉积方法形成所述刻蚀阻挡层和所述超低K介质层，反应气体包括含硼化合物和含氮化合物；形成所述超低K介质层时含硼化合物的流量小于形成所述刻蚀阻挡层时含硼化合物的流量，或者，形成所述超低K介质层时含氮化合物的流量大于形成所述刻蚀阻挡层时含氮化合物的流量。

20.如权利要求19所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述刻蚀阻挡层时含硼化合物的气体流量范围包括：100sccm～1000sccm，含氮化合物的气体流量范围包括：100sccm～1000sccm。