[发明专利]一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及监控方法

权利要求书

1.一种硅湿法腐蚀深度的监控结构，其特征在于，包括：形成在单晶硅材料上的至少两个湿法腐蚀凹槽；所述湿法腐蚀凹槽顶面为矩形，其中至少有两个湿法腐蚀凹槽的顶面宽度分别为W_u和W_l，W_u＝d_u/0.71，W_l＝d_l/0.71，d_u为所要监控的湿法腐蚀深度最大值，d_l为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。

2.根据权利要求1所述的硅湿法腐蚀深度的监控结构，其特征在于：所述单晶硅材料的腐蚀面为(100)晶面。

3.根据权利要求1所述的硅湿法腐蚀深度的监控结构，其特征在于：所述湿法腐蚀凹槽数量为n个，n≥3。

4.根据权利要求3所述的硅湿法腐蚀深度的监控结构，其特征在于：n个所述湿法腐蚀凹槽的顶面宽度均在小于等于W_u并大于等于W_l的范围内。

5.根据权利要求4所述的硅湿法腐蚀深度的监控结构，其特征在于：n个所述湿法腐蚀凹槽按照顶面宽度由W_l到W_u依次递增的顺序排列。

6.根据权利要求3、4、5中任一项所述的硅湿法腐蚀深度的监控结构，其特征在于：n个所述湿法腐蚀凹槽相互紧密排列。

7.一种具有硅湿法腐蚀深度监控图形的掩模板，其特征在于：所述掩模板上包括监控图形，所述监控图形包括至少两个用于湿法腐蚀的矩形的窗口；其中至少有两个窗口的宽度分别为W_u和W_l，W_u＝d_u/0.71，W_l＝d_l/0.71，d_u为所要监控的湿法腐蚀深度最大值，d_l为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。

8.根据权利要求7所述的具有硅湿法腐蚀深度监控图形的掩模板，其特征在于：所述窗口数量为n个，n≥3。

9.根据权利要求8所述的具有硅湿法腐蚀深度监控图形的掩模板，其特征在于：n个所述窗口的宽度均在小于等于W_u并大于等于W_l的范围内。

10.根据权利要求9所述的具有硅湿法腐蚀深度监控图形的掩模板，其特征在于：n个所述窗口按照宽度由W_l到W_u依次递增的顺序排列。

11.根据权利要求8、9、10中任一项所述的具有硅湿法腐蚀深度监控图形的掩模板，其特征在于：n个所述窗口相互紧密排列。