[发明专利]高分子化合物、发光材料及发光元件

说明书

本申请是分案申请，其母案申请的申请号：PCT/JP2006/318269(200680042434.1)，申请日：2006.9.14，发明名称：高分子化合物、发光材料及发光元件

技术领域

本发明涉及高分子化合物及含有高分子化合物的发光材料以及发光元件。

背景技术

已知作为发光元件的发光层中所用的发光材料，在发光层中使用了显示来自三重态激发态的发光的化合物(以下有时称作磷光发光性化合物)的元件的发光效率高。在将磷光发光性化合物用于发光层中的情况下，通常来说，将向该化合物中添加基质而成的组合物作为发光材料使用。作为基质，已知可以合适地使用聚乙烯咔唑之类的高分子，因其可以利用涂布来形成薄膜(例如参照专利文献1)。

但是，此种元件具有驱动电压高的问题。另一方面，如果将聚芴等共轭系高分子化合物作为基质使用，则虽然可以实现低驱动电压，但是由于此种共轭系高分子化合物一般来说最低三重态激发能量小，因此被认为不适于作为基质使用(例如参照专利文献2)。实际上，例如由作为共轭系高分子化合物的聚芴和磷光发光性化合物构成的发光材料(非专利文献1)是发光效率极低的材料。另外，已知此种性能降低一般来说会随着来自磷光发光性化合物的发光波长变短而变得明显，特别是尚不知晓适于显示比绿色更短波长的发光波长的磷光发光性化合物的共轭系高分子化合物。即，本发明的目的在于，提供可以用于含有显示比绿色更短波长的发光波长的磷光发光性化合物的发光材料的基质中的共轭系高分子及含有它们的发光材料。

专利文献1：特开2002-50483号公报

专利文献2：特开2002-241455号公报

非专利文献1：APPLIED PHYSICS LETTERS、80，13，2308(2002)

所以，本发明人等进行了深入研究，结果发现，在有关高分子的最低三重态激发能量的特定的系数，尤其是表示高分子的重复单元之间的共轭的程度的系数(电子共轭链系数或共轭链系数)与发光性能之间有明显的相关性，在这些系数处于特定的范围的高分子中可以获得在包括蓝色的宽广波长区域中发光的发光材料，从而完成了本发明。

发明内容

即，本发明如下所示。

1.一种组合物，是含有高分子和至少一种磷光发光性化合物的发光性的组合物，其特征是，该高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Z_e为以下的范围。

0＜Z_e≤2.00    (1)

[这里，电子共轭链系数Z_e定义为利用最小二乘法来线性近似函数T_m＝T_m(1/n_e)时的斜率，其中，n_e表示重复最小单元中所含的共轭电子数，T_m表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时的各m聚体的最低三重态激发能量。这里，共轭电子数仅考虑存在于重复最小单元的主链内的共轭电子。但是，在可以看到多个主要的重复最小单元的情况下，使用最小的Z_e。]。

2.根据1.所述的组合物，是由高分子和至少一种磷光发光性化合物构成的发光性的组合物，该高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Z_e为(1)的范围。

3.根据1.或2.所述的组合物，其特征是，高分子的主要的重复最小单元在主链上不会连续地具有2个以上可以断开主链的单键。(这里，所谓可以断开主链是指在将该单键切断的情况下，该主链断开。)。

4.根据1.～3.中任意一项所述的组合物，其中，高分子的最低三重态激发能量T₁在2.7eV以上。(高分子的最低三重态激发能量T₁使用利用最小二乘法来线性近似函数T_m＝T_m(1/n_e)时n_e为∞的外插值，其中所述T_m表示在对将重复最小单元结合而得的m聚体使数m从1到3逐一变化时各m聚体的最低三重态激发能量)。

5.根据1.～4.中任意一项所述的组合物，其中，高分子的主要的重复最小单元的电子共轭链系数Z_e为0＜Z_e≤2.00，并且高分子的最低三重态激发能量T₁在2.8eV以上。