[发明专利]CMOS密码清除电路无效

专利信息
申请号: 201110414474.7 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN103164008A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 周海清 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G06F1/24 分类号: G06F1/24;H03K17/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: cmos 密码 清除 电路
【权利要求书】:

1.一种CMOS密码清除电路,包括:

一电源电路,用于为该南桥芯片提供工作电压,计算机工作时由系统电源为南桥芯片供电,电脑系统关机后由电池为南桥芯片供电;以及

一第一按键电路,包括一第一二极管、一第一电阻、一第一电子开关以及一第一按键,该第一按键的一端接地,另一端通过该第一电阻连接于该第一二极管的阴极,还连接于该第一电子开关的第一端,该第一二极管的阳极与该电池的正极相连,该第一电子开关的第二端接地,第三端与该南桥芯片相连,当该第一按键按下时,该第一电子开关的第一端为低电平,该第一电子开关的第二端与第三端导通,该第一电子开关的第三端输出低电平的密码清除信号至南桥芯片,以清除该南桥芯片内的CMOS密码。

2.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路,其特征在于:该第一按键电路还包括一第二二极管及一第二电阻,该第二二极管的阴极通过该第二电阻连接于该第一电子开关的第一端,阳极连接于该系统电源。

3.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路,其特征在于:该第一电子开关为一P沟道场效应管或一PNP三极管,当该第一电子开关为P沟道场效应管时,该第一电子开关的第一端、第二端及第三端分别为P沟道场效应管的栅极、漏极及源极;当该第一电子开关为PNP三极管时,该第一电子开关的第一端、第二端及第三端分别为PNP三极管的基极、集电极及发射极。

4.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路,其特征在于:该第一按键为该计算机前板上的复位键。

5.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路,其特征在于:该CMOS电路还包括一第二按键电路,该第二按键电路包括一第三二极管、一第三电阻、一第二电子开关及一第二按键;该第二按键的一端接地,另一端通过该第三电阻与该第三二极管的阴极相连,还连接于该第二电子开关的第一端,该第三二极管的阳极连接于该电池的正极,该第二电子开关的第二端连接于该第一电子开关的第三端,该第二电子开关的第三端与该南桥芯片相连,当该第一按键及第二按键均被按下时,该第一电子开关及第二电子开关的第一端均为低电平,该第一电子开关的第二端与第三端导通,如此使得该第二电子开关的第二端及第三端导通,该第二电子开关的第三端输出低电平的密码清除信号至南桥芯片,以清除该南桥芯片内的CMOS密码。

6.如权利要求5所述的CMOS密码清除电路,其特征在于:该第二按键电路还包括一第四二极管及一第四电阻,该第四二极管的阴极通过该第四电阻连接于该第二电子开关的第一端,阳极与该系统电源相连。

7.如权利要求5所述的CMOS密码清除电路,其特征在于:该第二电子开关的为一P沟道场效应管或一PNP三极管,当该第二电子开关为P沟道场效应管时,该第二电子开关的第一端、第二端及第三端分别为P沟道场效应管的栅极、漏极及源极;当该第二电子开关为PNP三极管时,该第二电子开关的第一端、第二端及第三端分别为PNP三极管的基极、集电极及发射极。

8.如权利要求5所述的CMOS密码清除电路,其特征在于:该第二电子开关为该计算机前板上的电源键。

9.如权利要求1所述的CMOS密码清除电路,其特征在于:该电源电路包括一肖特基二极管、一电池、第一及第二电容、一第五电阻及一第六电阻,该电池的的负极接地,正极通过该第五电阻与该肖特基二极管的第一阳极相连,该肖特基二极管的第二阳极连接于该系统电源,阴极通过该第六电阻与该第二电容的一端相连,还与该第一电容的一端相连,该第一及第二电容的另一端接地,该第六电阻与第二电容的节点处连接于该南桥芯片。

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