[发明专利]稳定导通电阻开关电路有效
申请号: | 201110414809.5 | 申请日: | 2011-11-22 |
公开(公告)号: | CN102480282A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | N·加涅;J·L·斯图兹;S·马卡卢索 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司 |
主分类号: | H03K17/14 | 分类号: | H03K17/14 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;孟桂超 |
地址: | 215021 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稳定 通电 开关电路 | ||
1.一种设备,其特征在于,包括:
开关,其包含用于接收控制电压的控制节点;以及
补偿电路,其配置成当所述开关处于导通状态时在环境温度范围内调节所述控制电压以维持所述开关的第一和第二节点之间的规定的电阻,该补偿电路包括:
温度不敏感电阻器,其配置成提供检测电流;
调节晶体管,其配置成维持所述温度不敏感电阻器上的检测电压以提供所述检测电流,其中该检测电压基于第一调节晶体管的阈值电压;
电流镜,其配置成利用所述检测电流提供镜像电流;以及
热敏电阻器,其配置成利用所述镜像电流提供所述控制电压。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述温度不敏感电阻器包括多晶硅电阻器。
3.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述多晶硅电阻器包括P+多晶硅电阻器。
4.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述热敏电阻器包括扩散电阻器。
5.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述开关包括热敏开关。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述热敏开关包括传输门。
7.根据权利要求5所述的设备,其中,所述热敏开关包括NMOS传输门。
8.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述设备包括控制电路,该控制电路配置成接收控制信号以及在该控制信号处于第一状态时将所述温度不敏感电阻器连接到电压源,其中所述开关的导通状态对应于该控制信号的第一状态。
9.根据权利要求8所述的设备,其中,所述控制电路配置成在所述控制信号处于第二状态时将所述温度不敏感电阻器从所述电压源上断开连接。
10.根据权利要求1或2所述的设备,其中,所述设备包括包含所述补偿电路的集成电路。
11.根据权利要求10所述的设备,其中,所述集成电路包括所述开关。
12.根据权利要求11所述的设备,其中,所述集成电路包括数据开关。
13.根据权利要求11所述的设备,其中,所述集成电路包括通用串行总线开关。
14.根据权利要求11所述的设备,其中,所述集成电路包括音频开关。
15.一种方法,其特征在于,包括:
在开关的控制节点处接收控制电压;以及
当所述开关处于导通状态时在环境温度范围内调节所述控制电压以维持所述开关的第一和第二节点之间的规定的电阻,其中所述调节包括:
利用调节晶体管的阈值电压生成检测电压;
在温度不敏感电阻器上提供所述检测电压,以生成检测电流;
利用所述检测电流和电流镜提供镜像电流;以及
利用所述镜像电流和热敏电阻器提供所述控制电压。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述提供检测电流包括利用多晶硅电阻器。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述利用多晶硅电阻器包括利用P+多晶硅电阻器。
18.根据权利要求15-17中任一项所述的方法,其中,所述利用热敏电阻器提供所述控制电压包括利用扩散电阻器。
19.根据权利要求15-17中任一项所述的方法,其中,所述提供检测电压包括:
在连接到所述温度不敏感电阻器的控制电路处接收控制信号;以及
将启动电流注入所述调节晶体管内。
20.一种系统,其特征在于,包括:
包含NMOS传输门的开关,该开关包含用于接收控制电压的控制节点;
补偿电路,其配置成当所述开关处于导通状态时在环境温度范围内调节所述控制电压以维持所述开关的第一和第二节点之间的规定的电阻,该补偿电路包括:
P+多晶硅电阻器,其配置成提供检测电流;
调节晶体管,其配置成维持温度不敏感电阻器上的检测电压以提供所述检测电流,其中该检测电压是基于第一调节晶体管的阈值电压;
电流镜,其配置成利用所述检测电流提供镜像电流;以及
扩散电阻器,其配置成利用所述镜像电流提供所述控制电压;以及
控制电路,其配置成接收控制信号以及在该控制信号处于第一状态时将所述温度不敏感电阻器连接到电压源,其中所述开关的导通状态对应于该控制信号的第一状态。
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