[发明专利]一种减少DDR2初始化时间的方法无效

专利信息
申请号: 201110415028.8 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN102426850A 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 李静;刘朝辉;窦晓光;张磊;白宗元;纪奎 申请(专利权)人: 曙光信息产业(北京)有限公司
主分类号: G11C7/20 分类号: G11C7/20;G11C11/4072
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 100084 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 减少 ddr2 初始化 时间 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于DDR2内存控制器设计领域,一种减少DDR2初始化时间的方法。

背景技术

在通用DDR2内存控制器设计中,对DDR2的上电初始化是严格按照JEDEC规范执行。从附图1可以看出,初始化过程必须至少执行2次刷新操作,而DDR2内存颗粒的刷新时间开销在DDR2的初始化操作中最大。单次刷新时间开销从75ns到197.5ns之间。由此可以得出DDR2初始化的时间除去固定时间开销后,大部分时间开销是由刷新引起。而DDR2内存颗粒的刷新电流在DDR2的操作中最大,如果刷新消耗时间越长,功耗则越大。本发明可以解决现有技术中的刷新时间过长的问题,精简刷新过程,提高初始化效率。

专利号CN200910253837.6(存储器元件的初始化方法)公开了一种存储器元件的初始化方法,包括传送至少N+1个时钟周期给该存储器元件,其中N为该存储器元件输出串行数据位数。在这些时钟周期中的一个时钟周期期间,传送第一起讫信号给该存储器元件。在这些时钟周期中的另一个时钟周期期间,传送第二起讫信号给该存储器元件。

专利号CN02131526.4(半导体存储装置中产生初始化信号的方法)公开了一种用于产生初始化信号的方法,该初始化信号能够防止由于施加外部电源引起的安装在半导体存储装置中的内部电路的初始不稳定运行。该方法包括步骤:(a)接收用于对半导体存储装置进行预充电的预充电指令;(b)根据所接收的预充电指令激活初始化信号达到第一电平;(c)在收到预充电指令后接收用于刷新半导体存储装置的刷新指令;(d)在收到刷新指令后接收用于设置半导体存储装置的运行模式的模式设置指令;以及(e)根据所接收的模式设置指令去激活初始化信号达到第二电平。

现有技术的DDR2上电初始化顺序执行,时间开销没有任何减小。

发明内容

本发明克服现有技术不足,采用一种错峰叠加的刷新方法。

本发明提供了一种减少DDR2初始化时间的方法,采用错峰叠加的刷新方法。

本发明提供的减少DDR2初始化时间的方法,初始化刷新时,在给出第一个刷新命令的若干周期后,紧接着给出第二个刷新命令。

本发明提供的减少DDR2初始化时间的方法,第二个刷新命令有效时间为内存颗粒的刷新周期T。

本发明提供的减少DDR2初始化时间的方法,第一个和第二个刷新命令之间的时间间隔远远小于T。

本发明提供的减少DDR2初始化时间的方法,第一个和第二个刷新命令之间的时间间隔为5个时钟周期。

本发明提供的减少DDR2初始化时间的方法,内存为SDRAM。

与现有技术相比,本发明的有益效果在于:因为第一个和第二个刷新命令之间的时间间隔远远小于T,大幅减少DDR2初始化时间,提高初始化效率,降低功耗。

附图说明

图1是本发明DDR2上电初始化顺序示意图;

图2是本发明时钟周期示意图。

具体实施方式

在通用DDR2内存控制器设计中,对DDR2的上电初始化是严格按照JEDEC规范执行。从附图1可以看出,初始化过程必须至少执行2次刷新操作,而DDR2内存颗粒的刷新时间开销在DDR2的操作中最大。单次刷新时间开销从75ns到197.5ns之间。由此可以得出DDR2初始化的时间除去固定时间开销后,大部分时间开销是由刷新引起。而DDR2内存颗粒的刷新电流在DDR2的操作中最大,如果刷新消耗时间越长,功耗则越大。

采用一种错峰叠加的刷新方法,在不影响功能的情况下,可以有效减少DDR2的刷新时间开销,进一步减少DDR2的初始化时间。如附图2所示,错峰叠加的原理简图如下:

初始化刷新时,在给出第一个刷新命令后的若干后周期后(附图中为5个周期),紧接着给出第二个刷新命令,第二个刷新命令有效时间为内存颗粒的刷新周期T。这个2次刷新时间开销为T+5tck,而若按照正常的刷新方法,则刷新时间开销应该为2T,而T>>5tck,这样大大节省了刷新时间开销,有效减少DDR2初始化时间,进一步提高了初始化效率。

第一个和第二个刷新命令之间的时间间隔可灵活选择。而不仅限于附图2中的5个时钟周期。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制,尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明,所述领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者同等替换,而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

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