[发明专利]固态硬盘自动修复的方法及其固态硬盘有效

专利信息
申请号: 201110415357.2 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN102522121A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 刘伟 申请(专利权)人: 记忆科技(深圳)有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 黄韧敏
地址: 518057 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 固态 硬盘 自动 修复 方法 及其
【权利要求书】:

1.一种固态硬盘自动修复的方法,所述固态硬盘包括多个Flash存储芯片,其特征在于,所述方法包括:

在所述固态硬盘中设置至少一个备用Flash存储芯片;

在所述多个Flash存储芯片中的至少一个第一Flash存储芯片达到预设的自动修复标准时,将所述至少一个第一Flash存储芯片存储的数据复制到所述至少一个备用Flash存储芯片上;

将所述至少一个第一Flash存储芯片加热至高温温度;

在所述高温温度下进行所述至少一个第一Flash存储芯片的修复。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在将所述至少一个第一Flash存储芯片存储的数据复制到所述至少一个备用Flash存储芯片的步骤之后还包括:

将对所述至少一个第一Flash存储芯片的数据访问定向到对所述至少一个备用Flash存储芯片的访问。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述高温温度下进行所述至少一个第一Flash存储芯片的修复的步骤之后还包括:

在所述多个Flash存储芯片及所述备用Flash存储芯片中的至少一个第二Flash存储芯片达到预设的自动修复标准时,将所述至少一个第二Flash存储芯片存储的数据复制到所述至少一个第一Flash存储芯片上;

将所述至少一个第二Flash存储芯片加热至高温温度;

在所述高温温度下进行所述至少一个第二Flash存储芯片的修复。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述高温温度根据所述至少一个第一Flash存储芯片的特性进行确定;

所述对至少一个第一Flash存储芯片加热是采用加热器进行加热,并且所述加热器设置于所述至少一个第一Flash存储芯片的周围。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设的自动修复标准包括:

所述Flash存储芯片的擦除次数达到预设值;和/或

所述Flash存储芯片的坏块数量达到预设值;和/或

所述Flash存储芯片存储的数据量达到预设值。

6.一种固态硬盘,包括多个Flash存储芯片,其特征在于,所述固态硬盘还包括至少一个备用Flash存储芯片;以及

检测模块,用于检测所述多个Flash存储芯片中的至少一个第一Flash存储芯片是否达到预设的自动修复标准;

数据传输模块,用于在所述检测模块检测到所述多个Flash存储芯片中的至少一个第一Flash存储芯片达到预设的自动修复标准时,将所述至少一个第一Flash存储芯片存储的数据复制到所述至少一个备用Flash存储芯片上;

多个加热器,每个加热器对应于一个所述Flash存储芯片或者所述备用Flash存储芯片;对应于所述至少一个第一Flash存储芯片的加热器将所述至少一个第一Flash存储芯片加热至高温温度;

修复模块,在所述高温温度下进行所述至少一个第一Flash存储芯片的修复。

7.根据权利要求6所述的固态硬盘,其特征在于,所述固态硬盘还包括:

重定向模块,用于将对所述至少一个第一Flash存储芯片的数据访问定向到对所述至少一个备用Flash存储芯片的访问。

8.根据权利要求6所述的固态硬盘,其特征在于,所固态硬盘还包括:

温度控制电路,用于控制所述加热器加热的温度;

所述高温温度根据所述至少一个第一Flash存储芯片的特性进行确定。

9.根据权利要求6所述的固态硬盘,其特征在于,每个所述加热器分别设置于每个所述Flash存储芯片和所述备用Flash存储芯片的周围。

10.根据权利要求6所述的固态硬盘,其特征在于,所述预设的自动修复标准包括:

所述Flash存储芯片的擦除次数达到预设值;和/或

所述Flash存储芯片的坏块数量达到预设值;和/或

所述Flash存储芯片存储的数据量达到预设值。

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