[发明专利]一种硒化铅半导体薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110415443.3 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102517552A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;刘大博 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/00;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 陈宏林 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硒化铅 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硒化铅半导体薄膜的制备方法，其特征在于：该方法的步骤是：
(1)制备前对衬底进行去油、去污清洗；
(2)制备时先在氩气气氛中用50～100W功率离子源轰击衬底表面10～20min，除去表面的氧化物和其它杂质；
(3)采用硒铅原子比为1∶1纯度为99.99/％的硒化铅复合靶材，采用非平衡中频反应磁控溅射系统，功率为50～150W，非平衡中频反应磁控溅射系统的本底真空度为10-5Pa～10-3Pa；
溅射过程中工作气体为高纯氩气，流量为10～30cm3/min，反应气体为高纯氧气，氧气流量在0.5～2.5sccm范围内，溅射过程中的工作气压为10-2Pa～10-1Pa，靶材与衬底间的距离为45～80mm，衬底的加热温度为50～200℃，溅射30～180min后切断电源，保持真空冷却。
2.根据权利要求1所述的硒化铅半导体薄膜的制备方法，其特征在于：制备前对衬底进行去油、去污清洗的方法是将衬底在无水乙醇和丙酮中超声清洗10～20min，再经去离子水清洗后烘干待用。
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