[发明专利]卡吸装置和卡吸方法

权利要求书

1.一种具有吸孔的卡吸装置，所述卡吸装置保持半导体基板，所述装置包括：

基部，所述基部具有支承所述半导体基板的多个突出部分；

多个吸孔，所述多个吸孔可彼此独立地真空抽吸并设置在所述突出部分中的至少一个部分内；以及

真空产生单元，所述真空产生单元以不同时序真空抽吸所述多个吸孔。

2.如权利要求1所述的卡吸装置，其特征在于，

所述真空产生单元从设置在支承所述半导体基板的外部周边部分侧的位置的所述吸孔朝向设置在支承中心部分侧位置的所述吸孔、或从设置在支承所述半导体基板的所述中心部分侧的位置的所述吸孔朝向设置在支承所述外部周边部分侧的位置的所述吸孔依次真空抽吸所述吸孔。

3.一种具有吸孔的卡吸装置，所述卡吸装置保持半导体基板，所述装置包括：

基部，所述基部具有支承所述半导体基板的多个突出部分；

多个吸孔，所述多个吸孔设置在所述突出部分中的至少一个部分内；

真空产生单元，所述真空产生单元真空抽吸所述多个吸孔；以及

气流源，所述气流源使放置在所述基部上方的所述半导体基板的基部侧的气体的流速大于所述半导体基板的与所述基部侧相反一侧的气体的流速。

4.如权利要求3所述的卡吸装置，其特征在于，还包括：

控制单元，所述控制单元控制所述真空产生单元和所述气流源，其中

所述控制单元在使用所述气流源调整气体流速之后使用所述真空产生单元真空抽吸所述吸孔。

5.如权利要求1至4任一项所述的卡吸装置，其特征在于，还包括：

周缘部分，所述周缘部分支承所述半导体基板的外部周边部分。

6.如权利要求5所述的卡吸装置，其特征在于，

卡吸所述半导体基板的所述外部周边部分的吸孔设置在所述周缘部分内。

7.如权利要求1至6任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

所述吸孔连接至贯穿设有所述吸孔的所述突出部分的通气孔，且所述吸孔的内径大于所述通气孔的内径。

8.如权利要求1至7任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

在所述吸孔的开口部分上实施倒角加工。

9.如权利要求1至8任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

在所述突出部分的支承所述半导体基板的一侧的端部上实施倒角加工。

10.如权利要求1至9任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

在所述突出部分的支承所述半导体基板的一侧的端部上设置由吸收从由所述突出部分支承的所述半导体基板接收的外力的材料形成的构件。

11.如权利要求1至10任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

相邻的突出部分之间的间隔在支承所述半导体基板的一侧比在基部侧宽。

12.如权利要求1至11任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

未设置所述吸孔的所述突出部分的宽度小于设有所述吸孔的所述突出部分的宽度。

13.如权利要求1至12任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

所述突出部分从所述基部表面起算的高度都相等。

14.如权利要求1至13任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

在所述突出部分内设置螺纹部，在所述基部内设置接纳所述突出部分的所述螺纹部的螺纹孔，且所述突出部分的所述螺纹部拧入所述基部的所述螺纹孔，使得所述突出部分从所述基部表面起算的高度都相等。

15.如权利要求5至14任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

所述突出部分和所述周缘部分支承所述半导体基板的主表面侧的比远离所述外周部分更远离内部的部分，所述主表面由于绕所述外周较厚地保留的外周部分而具有台阶形式。

16.如权利要求5至13任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

所述突出部分从所述基部表面起算的高度大于所述周缘部分从所述基部表面起算的高度。

17.如权利要求5至16任一项所述的卡吸装置，其特征在于，

所述周缘部分设置成能相对于支承在所述周缘部分上的所述半导体基板的表面沿垂直方向移动。