[发明专利]半导体装置及半导体包装

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

半导体层；

晶体管区域，形成在所述半导体层上，构成晶体管；

二极管区域，形成在所述半导体层上，构成肖特基势垒二极管，

所述晶体管是具有从所述晶体管区域的所述半导体层的表面掘入的第1沟槽的沟槽型晶体管，且包含栅极绝缘膜、栅极电极、形成于所述栅极电极上的绝缘层、主体区域、汲极区域及源极区域；

在所述半导体层，形成着用于与所述源极区域实现接触的第2沟槽，该第2沟槽是贯通所述绝缘层且从所述晶体管区域的所述半导体层的表面掘入而形成；

第1金属膜，对所述第2沟槽的内表面的整个区域相接的方式形成，且于所述第2沟槽的底面及侧面分别与所述半导体层欧姆接触，并且与所述二极管区域的所述半导体层的表面向背向侧凹入的比所述第2沟槽的底面更深位置的凹部肖特基接触；

源极电极，埋入于所述第2沟槽中的所述第1金属膜的内侧；以及

第2金属膜，层叠有配线层，覆盖所述第1金属膜之表面整个区域，以及所述源极电极从所述第2沟槽所露出的面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述二极管区域的所述半导体层比所述晶体管区域的所述半导体层薄1μm以上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述二极管区域的所述半导体层的厚度为2.5μm以上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第1沟槽的底面、与所述二极管区域的所述半导体层的表面在所述半导体层的厚度方向上位于相同位置上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述半导体层的厚度方向上，与所述二极管区域的所述半导体层表面相比，所述第1沟槽的底面位于距所述半导体层背面更远的位置上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

在所述半导体层的厚度方向上，与所述二极管区域的所述半导体层表面相比，所述第1沟槽的底面位于距所述半导体层背面更近的位置上。

7.根据权利要求4至6中任一权利要求所述的半导体装置，其中所述第1沟槽的深度为1μm以上。

8.根据权利要求4至6中任一权利要求所述的半导体装置，其中所述第1沟槽的内表面上形成着含有SiO2的栅极绝缘膜。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第1沟槽的所述栅极绝缘膜内侧，嵌入着含有多晶硅的栅极电极。

10.根据权利要求4至6中任一权利要求所述的半导体装置，其中从所述半导体层的厚度方向观察而俯视时，所述第1沟槽及所述第2沟槽是交替地配置。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第1沟槽及所述第2沟槽是形成为条状。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第1沟槽是形成为内侧具有配置着所述第2沟槽的网目状区域的网目状。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中从所述半导体层的厚度方向观察而俯视时，所述晶体管区域包围所述二极管区域。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1金属膜包含钛、钼、钯或氮化钛。

15.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层为通过从半导体基板表面磊晶成长而形成的层。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中还包含背面电极，该背面电极与所述半导体基板的背面欧姆接触。

17.一种半导体包装，包含：根据权利要求1要求所述的半导体装置；及树脂包装，覆盖所述半导体装置。