[发明专利]一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.、一种Sm₂O₃掺杂BaTiO₃基片式PTCR陶瓷材料，其特征在于，该材料的结构式为：

(Ba_y-xSmx)TiO₃ + mSiO₂ + nMn(NO₃)₂ + pBN       

式中x=0.2~0.8mol%，y=1.014~1.029，m=0.05~0.6mol%，n=0.005~0.02mol%，p=0~4.4mol%。

2.根据权利要求1所述一种Sm₂O₃掺杂BaTiO₃基片式PTCR陶瓷材料，其特征在于，m=0.05~0.2mol%。

3.一种片式PTCR热敏电阻器的制备方法，该方法依次包括以下步骤：

第1步 利用Sm₂O₃掺杂BaTiO₃基PTCR粉体制备流延浆料；

第2步 采用流延成型方法利用流延浆料制备坯体，叠层压片和切片；

第3步 对生坯在还原气氛中烧结，得到片式PTCR陶瓷材料；

第4步 将烧结后的PTCR陶瓷材料在空气中再氧化；

第5步 在PTCR陶瓷材料的表面上涂电极。