[发明专利]半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法

权利要求书

1.一种半导体材料的测量装置，用于测量界面缺陷分布，其特征在于，所述半导体材料测量装置包括一反应腔室、一样品台、一聚焦离子束显微镜系统与一电子束诱导感生电流测量装置，所述聚焦离子束显微镜系统和电子束诱导感生电流测量装置位于所述反应腔室内；所述聚焦离子束显微镜系统包括气体注入系统，用于沉积电极，所述聚焦离子显微镜系统还包括离子束产生装置；所述离子束产生装置产生的离子束用于剥离半导体材料。

2.根据权利要求1所述的半导体材料的测量装置，其特征在于，所述离子束是镓离子束或氦离子束。

3.根据权利要求1所述的半导体材料的测量装置，其特征在于，所述聚焦离子束显微镜系统还包括电子束产生装置，用于产生电子束。

4.一种利用如权利要求1所述半导体材料的测量装置原位测量界面缺陷分布的方法，其特征在于，包括步骤：

a）将一具有多层结构的半导体样品置于样品台上；

b）采用聚焦离子束显微镜系统剥离掉所述多层结构的半导体样品的第一层的一区域，至显露出第二层的表面；

c）利用气体注入系统，分别在所述第一层的裸露表面和第二层的裸露表面沉积各自形成一电极；

d）利用电子束诱导感生电流测量装置测量所述第一层与第二层的交界面的缺陷。

5.根据权利要求4所述的原位测量界面缺陷分布的方法，其特征在于，所述电极为金属电极或碳材料电极，且所述金属电极的材料是金、银、铂、铝、铜、镍、钨中的一种或任意几种的组合。

6.根据权利要求4所述的原位测量界面缺陷分布的方法，其特征在于，所述步骤a与步骤b之间进一步包括步骤：采用电子束产生装置产生的电子束对半导体样品第一层的裸露表面进行扫描成像，选择需要进行刻蚀的区域。