[发明专利]一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种场效应晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：

在清洗制绒后的p型晶体硅片的背表面沉积一层含磷的二氧化硅薄膜，在含磷的二氧化硅薄膜表面制备背收集电极，引出背收集电极后，在背收集电极表面继续沉积二氧化硅薄膜，并在该二氧化硅薄膜表面通过溅射或蒸镀方法制备一层场效应金属电极；最后，在场效应金属电极与前栅电极间加载正偏压，从而利用二氧化硅的场效应使p型晶体硅衬底背面形成反型层；

或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层含硼的二氧化硅薄膜，在含硼的二氧化硅薄膜表面制备背收集电极，引出背收集电极后，在背收集电极表面继续沉积二氧化硅薄膜，并在该二氧化硅薄膜表面通过溅射或蒸镀方法制备一层场效应金属电极；最后，在场效应金属电极与前栅电极间加载负偏压，从而利用二氧化硅的场效应使n型晶体硅衬底背面形成反型层。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述的含磷的二氧化硅薄膜、含硼的二氧化硅薄膜的厚度为50～200纳米。

3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：所述的二氧化硅薄膜的厚度为100～4000纳米。