[发明专利]管芯装置和形成管芯装置的方法有效

专利信息
申请号: 201110417200.3 申请日: 2011-12-14
公开(公告)号: CN102738130A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: F.德切;J.赫格劳尔;S.兰多;J.马勒;A.普吕克尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/07;H01L23/48;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 曲宝壮;朱海煜
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 管芯 装置 形成 方法
【说明书】:

技术领域

实施例一般涉及管芯装置和用于形成管芯装置的方法。

背景技术

在所谓的多芯片封装中,多于一个、例如几个芯片可以布置在单个封装中。芯片可以借助于电学连接或接触结构彼此电学连接和/或与外围电学连接。在此情形下,可能希望具有有效和/或节省空间的电学连接机制。

附图说明

图中,贯穿不同的视图,相同的参考符号一般表示相同的部件。附图没有必要按比例绘制,而是一般将重点放在说明本发明的原理上。在下面的描述中,参考下面的附图描述各个实施例,附图中:

图1示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图2示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图3是说明根据一个实施例形成管芯装置的方法的图示;

图4是说明根据一个实施例形成管芯装置的方法的图示;

图5示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图6A至6D示出用于说明在根据一个实施例形成图5的管芯装置的方法中的不同工艺阶段的示意性剖面图;

图7示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图8A至8D示出用于说明在根据一个实施例形成图7的管芯装置的方法中的不同工艺阶段的示意性剖面图;

图9示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图10示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图11示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图12示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图13示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图14示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图;

图15示出根据一个实施例的管芯装置的示意性剖面图。

具体实施方式

当在此使用时,术语“层”或“层结构”可以理解成表示单层或包括多个子层的层序列(也称为层堆叠)。在层序列或层堆叠中,各个子层例如可以包括或可以由不同材料制成,或者子层中的至少一个可以包括或可以由与子层中的另一层相同的材料制成。

当在此使用时,术语“在...上布置”、“在...上安置”或“在...上形成”可以理解成表示可以在另一层(元件或实体)上以直接机械和/或电学接触的方式布置的层(或其他元件或实体)。层(元件或实体)还可以与另一层(元件或实体)以间接(机械和/或电学)接触方式布置,在这种情况中,其间可以存在一个或更多附加层(元件或实体)。

当在此使用时,术语“在...之上布置”、“在...之上安置”或“在...之上形成”可以理解成表示至少可以间接地位于另一层(元件或实体)上的层(或其他元件或实体)。即,一个或更多其它层(元件或实体)可以位于给定层(元件或实体)之间。

术语“电学连接”、“电学接触”或“电学耦合”可以理解为包括直接电学连接、接触或耦合以及间接电学连接、接触或耦合。

图1示出根据一个实施例的管芯装置100的示意性剖面图。管芯装置100可以包括具有第一面101a和与第一面101a相对的第二面101b的载体101。载体101可以包括从载体101的第一面101a延伸到载体101的第二面101b的开口104。管芯装置100还可以包括布置在载体101的第一面101a之上且电学接触载体101的第一管芯102。管芯装置100还可以包括布置在载体101的第二面101b之上且电学接触载体101的第二管芯103。管芯装置100还可以包括通过载体101中的开口104延伸且电学接触第二管芯103的电学接触结构105。

载体101可以包括第一区域101'和第二区域101''。如图所示,开口104可以在第一区域101'和第二区域101''之间形成。

如图所示,载体101的第一区域101'可以对应于载体101的如下区域:该区域上可以布置第一管芯102和第二管芯103其中至少一部分。例如,载体101的第一区域101'可以对应于载体101的如下区域:该区域可以被位于第一管芯102的第二面102b上的第一管芯102的电学接触而电学接触,如下文所述。再者,载体101的第一区域101'例如可以对应于载体101的如下区域:该区域可以被位于第二管芯103的第一面103a上的第二管芯103的第一电学接触或位于第二管芯103与第一面103a相对的第二面103b上的第二管芯103的第二电学接触而电学接触,如下文所述。

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