[发明专利]一种含有InAs量子点结构的多结太阳电池无效
| 申请号： | 201110417483.1 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102437227A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张小宾;袁小武;李愿杰;江瑜;张中伟;胡蕴成 | 申请（专利权）人： | 中国东方电气集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/076 | 分类号： | H01L31/076;H01L31/0725 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 方强 |
| 地址： | 610036 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含有 inas 量子 结构 太阳电池 | ||
1.一种含有InAs量子点结构的多结太阳电池，其特征在于：包括电极、多结太阳电池材料和减反射膜，所述多结太阳电池材料的上表面设置有减反射膜，减反射膜上方设置有电极，同时多结太阳电池材料的下表面也设置有电极；
所述多结太阳电池材料按照层状结构从下至上包括有衬底、底电池、中间电池、顶层电池，所述衬底为半导体单晶片，底电池是p-i-n结构的InAs/GaAs量子点太阳电池，中间电池为GaInAs太阳电池，顶层电池为GaInP太阳电池，底电池与中间电池之间通过隧道结连接，中间电池与顶层电池之间通过隧道结连接。
2.根据权利要求1所述的多结太阳电池，其特征在于：所述半导体单晶片为Si，或者Ge，或者GaAs。
3.根据权利要求1或2所述的多结太阳电池，其特征在于：所述作为底电池的p-i-n结构的InAs/GaAs量子点太阳电池，按照层状结构从下至上依次包括p型GaAs材料层、未掺杂的InAs/GaAs量子点结构层、n层GaAs材料层。
4.根据权利要求3所述的多结太阳电池，其特征在于：所述底电池与中间电池之间的隧道结为n+-GaAs层和p+-GaAs层，其中p+-GaAs层位于n+-GaAs层上方。
5.根据权利要求4所述的多结太阳电池，其特征在于：所述中间电池与顶层电池之间的隧道结为n+-GaAs层和p+-AlGaAs层，其中p+-AlGaAs层位于n+-GaAs层上方。
6.根据权利要求2或5所述的多结太阳电池，其特征在于：所述多结太阳电池材料是采用金属有机化合物化学气相沉积技术或分子束外延技术生长成含有InAs/GaAs量子点结构的多结太阳电池材料，该多结太阳电池材料以半导体Si单晶片或者Ge单晶片或者GaAs单晶片为衬底，以p-i-n结构的InAs/GaAs量子点太阳电池作为底电池，以GaInAs太阳电池为中间电池，以GaInP太阳电池为顶电池，子电池之间采用隧道结相连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
