[发明专利]一种用于相变存储器的直接数据读取电路

权利要求书

1.一种用于相变存储器的直接数据读取电路，其特征在于，包括：

存储阵列，所述存储阵列具有m行n列相变存储单元，所述相变存储单元包括晶体管(14)和与所述晶体管串联的相变材料(12)，所述m、n为正整数；

电流源(11)，所述电流源(11)的数量为p，所述每一个电流源(11)通过一个第一开关与h列相变存储单元相连；

缓冲器(15)，所述缓冲器(15)的数量为p，所述每一个缓冲器(15)通过一个第二开关与h列相变存储单元相连，所述p、h为正整数且p×h＝n。

2.如权利要求1所述的用于相变存储器的直接数据读取电路，其特征在于，所述电流源(11)的电流I₁由电流分量I₁<1>、I₁<2>、I₁<3>、...I₁<k>组成，所述电流分量I₁<1>、I₁<2>、...、I₁<k>串联有由数字位C<1>、C<2>、...、C<k>控制的开关，所述电流源(11)的电流I₁为：

I₁＝I₁<1>C<1>+I₁<2>C<2>+…I₁<k>C<k>，其中，

I₁<k>＝2¹I₁<k-1>＝2²I₁<k-2>＝......＝2^k-1I₁<1>，所述k为正整数。

3.如权利要求1所述的用于相变存储器的直接数据读取电路，其特征在于，还包括电阻检测电路，所述电阻检测电路用于检测标准相变材料电阻并得到控制电流I₁的k比特数字位C<k:1>，所述电阻检测电路包括：

第一可变电阻阵列R_FH和第二可变电阻阵列R_FL，所述第一可变电阻阵列R_FH的电阻由k比特数字位C₁<k:1>控制，所述第二可变电阻阵列R_FL的电阻由k比特数字位C₂<k:1>控制，C<k:1>＝(C₁<k:1>+C₂<k:1>)/2；

第一电流源(16)，所述第一电流源(16)通过第一开关(S41)与标准相变材料(20)连接；

第二电流源(17)，所述第二电流源(17)通过第二开关(S42)与标准相变材料(20)连接，连接点为A；

第三电流源(18)，所述第三电流源(18)通过第三开关(S43)与所述第一可变电阻阵列R_FH通过第五开关(S45)连接，连接点为B，所述第二可变电阻阵列R_FL通过第四开关(S44)连接到B点；

比较器(19)，所述比较器(19)的两个输入端口分别与A和B点连接。