[发明专利]一种MOS管的自适应串联电路

权利要求书

1.一种MOS管的自适应串联电路，其特征在于，包括一个主控MOS管和n个自适应MOS管，关断箝位电路和n个导通箝位电路，n≥1，其中；

所述主控MOS管的源极为所述自适应串联电路的第一端；

所述主控MOS管的漏极与所述n个自适应MOS管依次串联，所述第n个自适应MOS管的漏极为所述自适应串联电路的第二端；

所述主控MOS管的栅极为所述自适应串联电路的控制端；

所述关断箝位电路分别与所述n个自适应MOS管的栅极连接，并且具有与所述主控MOS管和所述n个自适应MOS管相对应的(n+1)个关断箝位电压值，所述关断箝位电压值不大于对应的自适应MOS管和所述主控MOS管的额定栅漏电压；

所述n个导通箝位电路分别连接至对应的所述自适应MOS管的栅极，所述n个导通箝位电路具有n个导通箝位电压值，所述导通箝位电压值不小于对应的自适应MOS管的导通电压阈值；

当所述主控MOS管和所述自适应MOS管处于关断状态，并且主控MOS管和n个自适应MOS管的栅极和漏极之间电压大于其关断箝位电压值时，所述关断箝位电路将所述主控MOS管和n个自适应MOS管的栅极和漏极之间电压箝位至对应的关断箝位电压值，从而保证所述主控MOS管和n个自适应MOS管的栅极和漏极之间电压不高于其额定栅漏电压；

当所述自适应MOS管和所述主控MOS管导通时，所述导通箝位电路将所述自适应MOS管的栅极电压箝位至对应的导通箝位电压值。

2.根据权利要求1所述的MOS管的自适应串联电路，其特征在于，还包括连接至对应的所述自适应MOS管的栅极和源极之间的n个栅源极箝位电路，所述n个栅源极箝位电路具有n个栅源极箝位电压值，当所述自适应MOS管和所述主控MOS管导通时，所述栅源极箝位电路将所述自适应MOS管的栅极与源极之间的电压箝位在对应的所述栅源极箝位电压值；所述栅源极箝位电压值不大于对应的所述自适应MOS管的额定栅源电压。

3.根据权利要求1所述的MOS管的自适应串联电路，其特征在于：所述自适应MOS管和主控MOS管为N型MOS管；

所述MOS管的自适应串联电路的第二端为所述MOS管的自适应串联电路的输入端，以接收一输入电压；

所述MOS管的自适应串联电路的第一端为所述MOS管的自适应串联电路的输出端，以产生一输出电压；

所述MOS管的自适应串联电路的控制端接收一控制信号，以依次导通和关断所述主控MOS管和所述自适应MOS管；

所述关断箝位电路的第一端连接至所述自适应串联电路的第二端；

所述关断箝位电路的第二端连接至地；

所述导通箝位电路包括第一二极管，所述第一二极管的阴极连接至其对应的自适应MOS管的栅极，阳极连接至一数值为所述主控MOS管的额定栅源电压的电压源。

4.根据权利要求2所述的MOS管的自适应串联电路，其特征在于：所述自适应MOS管和主控MOS管为N型MOS管；

所述栅源极箝位电路包括第一齐纳二极管；所述第一齐纳二极管的阳极连接至对应的自适应MOS管的源极，阴极连接至对应的自适应MOS管的栅极。

5.根据权利要求1所述的MOS管的自适应串联电路，其特征在于：所述自适应MOS管和主控MOS管为P型MOS管；

所述MOS管的自适应串联电路的第一端为所述MOS管的自适应串联电路的输入端，以接收一输入电压；

所述MOS管的自适应串联电路的第二端为所述MOS管的自适应串联电路的输出端，以产生一输出电压；

所述MOS管的自适应串联电路的控制端接收一控制信号，以依次导通和关断所述主控MOS管和所述自适应MOS管；

所述关断箝位电路的第一端连接至所述自适应串联电路的第一端所连接电路的最高电位；

所述关断箝位电路的第二端连接至所述自适应串联电路的第二端；

所述导通箝位电路包括第二二极管，所述第二二极管的阳极连接至其对应的自适应MOS管的栅极，阴极连接至一数值为所述自适应串联电路的第一端所连接电路的最高电位与所述主控MOS管的额定栅源电压的差值的电压源。

6.根据权利要求2所述的MOS管的自适应串联电路，其特征在于：所述自适应MOS管和主控MOS管为P型MOS管；

所述栅源极箝位电路包括第二齐纳二极管；所述第二齐纳二极管的阳极连接至对应的自适应MOS管的栅极，阴极连接至对应的自适应MOS管的源极。