[发明专利]自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置及利用其镀膜的方法无效

专利信息
申请号: 201110418126.7 申请日: 2011-12-14
公开(公告)号: CN102492924A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 王浪平;王小峰;陆洋;姜巍 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 离子 轰击 辅助 电子束 装置 利用 镀膜 方法
【权利要求书】:

1.自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置,其特征在于自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置由电子束蒸镀装置(1)和射频辉光放电系统(2)和真空系统(3)组成;其中电子束蒸镀装置由真空室(1-1)、电子束蒸发源(1-2)、坩埚(1-3)、样品架(1-4)、偏压电源(1-5)和烘烤装置(1-6)组成;射频辉光放电系统(2)由射频放电电极(2-1)和射频电源(2-2)组成,射频放电电极(2-1)安装在真空室(1-1)内的坩埚(1-3)上方50~200mm处,其中射频放电电极(2-1)为1~6匝的直径为70~200mm的射频线圈;样品架(1-4)与偏压电源(1-5)相连,偏压形式为0~1000V直流或0~10000V脉冲。

2.根据权利要求1所述的自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置,其特征在于射频放电电极(2-1)安装在真空室(1-1)内的坩埚(1-3)上方80~150mm处。

3.根据权利要求1或2所述的自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置,其特征在于射频放电电极(2-1)为2~5匝的直径为90~180mm的射频线圈。

4.根据权利要求1或2所述的自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置,其特征在于样品架(1-4)与偏压电源(1-5)相连,偏压形式为100~900V的直流。

5.根据权利要求1或2所述的自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置,其特征在于样品架(1-4)与偏压电源(1-5)相连,偏压形式为100~9000V脉冲。

6.利用权利要求1所述的自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置镀膜的方法,其特征在于利用自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置镀膜的方法按以下步骤进行:一、将基体放在样品架(1-4)上,待蒸发的金属或者化合物加入到坩(1-3)中,通过真空系统(3)抽真空使真空室(1)的真空度达到10-2Pa~10-4Pa;二、启动烘烤装置(1-6)将基体加热至100℃~600℃;三、启动电子束蒸发源产生电子束,电子束流为100mA~500mA,加速电压6~10kV,加热坩埚(1-3)内的金属或者化合物,形成金属或者化合物蒸汽,启动射频电源(2-2)和射频放电电极(2-1),其中射频功率为100~500W,板压为400~1000V;同时通过偏压电源(1-5)对样品架(1-4)施加0~1000V直流或0~10000V脉冲偏压,镀膜时间10min~100min,完成镀膜的过程。

7.根据权利要求6所述的利用自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置镀膜的方法,其特征在于步骤一中的金属为Ti、Mo、In、Ag或Cr。

8.根据权利要求6或7所述的利用自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置镀膜的方法,其特征在于步骤一中的化合物为Al2O3或ZrO2

9.根据权利要求6或7所述的利用自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置镀膜的方法,其特征在于步骤二中的基体为不锈钢、轴承钢、钛合金或铝合金。

10.根据权利要求6或7所述的利用自体离子轰击辅助电子束蒸镀装置镀膜的方法,其特征在于步骤三中通过偏压电源(1-5)对样品架(1-4)施加100~900V直流或100~9000V脉冲偏压。

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