[发明专利]薄膜太阳能电池及其形成方法无效
| 申请号： | 201110418593.X | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102447000A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 傅建明;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 杭州赛昂电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/076;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 311215 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 及其 形成 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包括：
基板；
位于所述基板上表面的光电转换单元，所述光电转换单元依次包括：P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层；
位于所述光电转换单元上表面的抗反射层；
位于所述抗反射层上表面的正面电极；
位于所述基板下表面的背面电极；
所述P型半导体层中掺杂离子浓度从靠近所述I型半导体层到远离所述I型半导体层的方向依次增大；所述N型半导体层中掺杂离子浓度从靠近所述I型半导体层到远离所述I型半导体层的方向依次增大。
2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述P型半导体层中掺杂离子浓度的取值范围包括：1E10/cm3～1E20/cm3。
3.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述N型半导体层中掺杂离子浓度的取值范围包括：1E10/cm3～1E20/cm3。
4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述P型半导体层的厚度范围包括：
5.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述N型半导体层的厚度范围包括：
6.一种薄膜太阳能电池的形成方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板的上表面形成光电转换单元，包括：依次形成P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层，所述P型半导体层中掺杂离子浓度从靠近所述I型半导体层到远离所述I型半导体层的方向依次增大；所述N型半导体层中掺杂离子浓度从靠近所述I型半导体层到远离所述I型半导体层的方向依次增大；
在所述光电转换单元上表面形成抗反射层；
在所述抗反射层的上表面形成正面电极；
在所述基板的下表面形成背面电极。
7.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积方法形成所述光电转换单元。
8.如权利要求7所述的薄膜太阳能电池的形成方法，其特征在于，形成所述P型半导体层包括：选用硅烷和硼化氢作为反应气体，保持硅烷的流量不变且依次减小硼化氢的流量；或者，保持硼化氢的流量不变且依次增大硅烷的流量；或者，依次减小硼化氢的流量且依次增大硅烷的流量。
9.如权利要求7所述的薄膜太阳能电池的形成方法，其特征在于，形成所述N型半导体层包括：选用硅烷和磷化氢作为反应气体，保持硅烷的流量不变且依次增大磷化氢的流量；或者，保持磷化氢的流量不变且依次减小硅烷的流量；或者，依次增大磷化氢的流量且依次减小硅烷的流量。
10.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述P型半导体层的厚度范围包括：所述N型半导体层的厚度范围包括：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
