[发明专利]固态图像传感器、制造该固态图像传感器的方法和照相机

权利要求书

1.一种固态图像传感器，包括：

在半导体区域中形成的第一导电类型的电荷蓄积区域；

隔离半导体区域，形成在半导体区域中并且由第二导电类型的杂质半导体区域形成；

沟道阻挡区域，由位于半导体区域中的第二导电类型的杂质半导体区域形成并且形成在隔离半导体区域上；以及

绝缘体，布置在沟道阻挡区域上，

其中，绝缘体包括

第一绝缘部分，经由沟道阻挡区域布置在隔离半导体区域的上方；

第二绝缘部分，布置为与第一绝缘部分的外侧相邻，其中第二绝缘部分的厚度随着距第一绝缘部分的距离的增大而减小；以及

第三绝缘部分，形成在第一绝缘部分上，其中，第三绝缘部分具有上表面和侧面，侧面使第三绝缘部分的上表面与第二绝缘部分的上表面相连。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中，电荷蓄积区域包括外围部分，外围部分通过穿过第二绝缘部分将离子注入到半导体区域内而形成并且与沟道阻挡区域接触。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中，沟道阻挡区域的外边界的一部分位于第二绝缘部分的内边界的外侧和第二绝缘部分的外边界的内侧。

4.根据权利要求1所述的传感器，其中，第一绝缘部分的上表面布置在比第二绝缘部分的上表面的最大高度低的位置，以使得第一绝缘部分的上表面和第二绝缘部分的上表面形成凹部，并且第三绝缘部分包括填充凹部的部分。

5.根据权利要求1所述的传感器，其中，第一绝缘部分和第二绝缘部分由硅氧化物形成。

6.根据权利要求1所述的传感器，其中，第一绝缘部分、第二绝缘部分和第三绝缘部分由硅氧化物形成。

7.一种制造固态图像传感器的方法，所述方法包括如下步骤：

在半导体区域上形成多晶硅膜；

在多晶硅膜上形成具有开口的掩模；

通过使用掩模氧化多晶硅膜的一部分来形成第一绝缘部分和布置为与第一绝缘部分的外侧相邻的第二绝缘部分，其中第二绝缘部分的厚度随着距第一绝缘部分的距离的增大而减小；

形成沟道阻挡区域，沟道阻挡区域通过将离子注入半导体区域内由第二导电类型的杂质半导体区域形成；

形成隔离半导体区域，隔离半导体区域通过将离子注入半导体区域内由第二导电类型的杂质半导体区域形成；以及

通过使用第二绝缘部分作为掩模将离子注入半导体区域内而在半导体区域中形成第一导电类型的电荷蓄积区域，以使电荷蓄积区域与沟道阻挡区域接触。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在形成多晶硅膜之前在半导体区域上形成绝缘膜的步骤，

其中，多晶硅膜形成在绝缘膜上。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成掩模的步骤包括如下步骤：

在多晶硅膜上形成氮化硅膜；

在氮化硅膜上形成抗蚀剂图案；以及

通过使用抗蚀剂图案来蚀刻氮化硅膜而在氮化硅膜中形成开口。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括在形成掩模之后且在氧化多晶硅膜之前，通过蚀刻暴露在掩模的开口中的区域中的多晶硅膜而在多晶硅膜中形成凹部的步骤。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，在形成第一绝缘部分和第二绝缘部分的步骤之后执行形成沟道阻挡区域的步骤。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的方法，还包括在第一绝缘部分上形成第三绝缘部分的步骤。

13.一种固态图像传感器，包括：

在半导体基底中形成的第一导电类型的电荷蓄积区域；以及

包括绝缘体的元件隔离部分，

其中，绝缘体包括：第一绝缘部分，布置在半导体基底上；第二绝缘部分，布置为与第一绝缘部分的外侧相邻，其中第二绝缘部分的厚度随着距第一绝缘部分的距离的增大而减小；以及第三绝缘部分，设置在第一绝缘部分上，其中第三绝缘部分具有上表面和侧面，侧面使第三绝缘部分的上表面与第二绝缘部分的上表面相连。

14.根据权利要求13所述的传感器，其中，第一绝缘部分与第二绝缘部分之间的边界与第三绝缘部分的侧面平齐。