[发明专利]一种二硼化钛-镍涂层或薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种二硼化钛-镍涂层或者薄膜，其特征在于该TiB₂-Ni涂层或者薄膜是以TiB₂为主晶相，金属Ni为次晶相利用物理气相沉积技术原位复合而成的复合涂层或者薄膜材料，其中TiB₂含量为65-95at.％，Ni含量为5-35at.％。

2.根据权利要求1所述的二硼化钛-镍涂层或者薄膜，其特征在于所述TiB₂-Ni涂层或者薄膜的基板材料选用单晶硅、玻璃、高速钢、合金钢或者钛合金等。

3.根据权利要求1所述的二硼化钛-镍涂层或者薄膜，其特征在于所述薄膜的厚度为20nm-1um；所述涂层的厚度为1um-1mm。

4.一种根据权利要求1或2或3所述的二硼化钛-镍涂层或者薄膜的制备方法，其特征在于以TiB₂陶瓷靶和金属Ni靶为原料，采用物理气相沉积技术，原位沉积不同TiB₂和Ni配比的涂层或者薄膜，具体步骤为：

a)安装靶材和基板；

b)抽真空和基板加热；

c)通入惰性气体，设置电源与基板参数，起辉，预溅射后，溅射沉积；

d)沉积结束，关闭电、气、水路，取样。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述步骤a)的基板在安装前要依次分别用无水乙醇、丙酮、无水乙醇超声清洗10～20min，然后于70～90℃下鼓风干燥1～2h。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述步骤b)中的抽真空是指沉积室内背底真空低于9.5×10^-4Pa，所述基板加热温度为室温～500℃，保温20～30min。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述步骤c)中的电源与基板参数为：TiB2陶瓷靶电源参数为：中频50-200KHZ、功率100-500W、占空比60-90％；Ni金属靶电源参数为：直流功率0-20W；预溅射时间为8～15min，所述溅射沉积时间为30～200min；基板参数为偏压0V、温度室温～500℃。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述步骤c)中的所通入的惰性气体为氩气，惰性气体流量控制在20-40sccm，并将沉积室内气压调制0.1-1Pa的范围。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述物理气相沉积技术不局限于磁控溅射镀膜，还包括真空蒸镀或者离子束辅助沉积。