[发明专利]一种半导体芯粒的清洗装置无效
申请号: | 201110419204.5 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN102522322A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 吴慧;徐春叶;欧阳径桥;张乐银 | 申请(专利权)人: | 华东光电集成器件研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B3/12 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 杨晋弘 |
地址: | 233042 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 清洗 装置 | ||
技术领域
本发明属于微电子封装技术领域,特别是一种可以进行半导体芯粒批量清洗的装置。
背景技术
目前半导体小芯粒(小于5mm×5mm的芯粒)清洗没有适用的专门设备,一般是手工逐一操作,很容易对芯粒造成损伤,而且体积过小的芯粒更是无法操作。传统的清洗方法效率低、效果差。
经检索,中国专利201010168264《一种二极管芯粒的清洗工艺》,公开了一种二极管芯粒清洗的方法。该方法中涉及清洗工艺中所用清洗液配方的改进,能进一步减少芯粒侧表面金属离子,从而避免芯粒在工作中会出现“爬电”现象。中国专利200910197445《一种芯粒的清洗方法》,也公开了一种芯粒的清洗方法,该方法中需要将待清洗的芯粒置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗;将经过溶剂清洗后的芯粒进行灰化处理;将灰化后的芯粒采用去离子水进行去离子水清洗。这两种方法的问题是:过程复杂,需要专用的清洗溶剂,技术条件高、难度大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以将大量小尺寸芯粒同时清洗的装置。
实现本发明的技术方案是:
一种半导体芯粒的清洗装置,其特征在于它由芯粒存放盘和连接于芯粒存放盘上的手柄组成,芯粒存放盘表面设置有一组芯粒存放槽,每个芯粒存放槽的底面设置一个将芯粒存放盘贯通的清洗液渗漏孔。所述芯粒存放盘表面设置的芯粒存放槽可以是一组孔径不同的芯粒存放槽。
本发明提供的一种半导体芯粒的清洗装置上设有不同大小芯粒存放槽,可以实现不同尺寸芯粒的清洗。每个芯粒存放槽中设有清洗液渗漏孔直径为0.1mm~0.5mm,置于芯粒存放槽中心,方便清洗试剂的渗入和渗出。手柄是为了不用手触碰就可以方便取出芯粒存放盘,并可拆卸。
使用时将芯粒放入清洗装置的芯粒存放槽中,通过浸泡在清洗试剂内并超声振动进行清洗。本装置可以多个同时使用,清洗数量则成倍增加,而时间基本不变。
本发明与现有技术相比,其显著优点是:
1、实现切割后的小芯粒快速、一致性清洗;
2、可以一次性清洗几十到几百只不同大小的芯粒,芯粒尺寸最小范围达到0.5mm×0.5mm~5.0mm×5.0mm,清洗过程不会对芯粒造成任何损伤,进行批量较大的小芯粒清洗时工作效率可成倍提高;
3、操作省时省力,制作成本低,使用的是普通工业用清洗试剂和常用超声清洗机,无须专用材料和设备。
附图说明
图1是本发明的清洗装置结构示意图。
图2是本发明的清洗结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的最佳实施案例作进一步描述:
如图1、图2所示,本发明提供的一种半导体芯粒的清洗装置,它由芯粒存放盘2和连接于芯粒存放盘2上的手柄1组成,芯粒存放盘表面设置有一组孔径不同的芯粒存放槽3,每个芯粒存放槽的底面设置一个将芯粒存放盘贯通的清洗液渗漏孔5。将手柄1穿过存放盘2中间的穿入孔7,通过两边的卡槽8将手柄固定。存放盘(包括手柄)的制作方法为:主体材料为聚四氟乙烯。中芯粒存放槽是按我们常用的尺寸制成的0.5mm×0.5mm和7.0mm×7.0mm两种尺寸。
采用本发明提供的一种半导体芯粒的清洗装置,芯粒清洗过程如下:
1、将容器6清洁后,注入清洗试剂(本方案采用的是工业用无水乙醇),具体清洗试剂量以液面超过芯粒2cm~4cm左右为标准,以备使用;
2、将芯粒4放入适合其尺寸的芯粒存放槽3中,一个存放槽放置一个芯粒,以免在清洗过程中因超声振动造成间相互蹭伤;
3、将芯粒存放盘放入注好无水乙醇的容器6中,清洗试剂(无水乙醇)通过芯粒存放槽底部的清洗液渗漏孔5渗入存入区内,将芯粒整体浸泡,(若试剂较多时,清洗试剂可能通过清洗装置外圈与容器的缝隙满过整个存放盘,但出现这种情况不会影响操作和清洗效果,无需特别注意和处理);
(4)将容器放入超声清洗机内清洗
将容器整体放入超声清洗机内进行清洗,清洗机输出电流调至50mA~80mA(对应功率为11W~18W),清洗时间为5min~10min。
(5)超声清洗完成,取出容器
清洗完成后,关闭清洗机开关,将放置了存放盘的容器从清洗机中取出。
(6)将芯粒存放盘取出并拎干清洗试剂
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造