[发明专利]封装件互连结构

权利要求书

1.一种用以形成装置的方法，包括：

提供具有第一及第二主要表面的支撑基板；以及

形成穿过该支撑基板中的该第一及第二主要表面的互连结构，该互连结构具有第一及第二部分，该第一部分自该第一或第二主要表面中的一者延伸，且该第二部分自该第一及第二主要表面中的另一者延伸，其中，形成该互连结构包含：

于该互连结构的第一部分中形成包括导电材料的部分穿孔栓塞，该穿孔栓塞具有大约位于该第一及第二部分的接口的底部；以及

于该互连结构的第二部分设置具有第一极性类型的掺杂物的重掺杂第二部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该导电材料包括多晶硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，该多晶硅掺杂有该第一极性类型的掺杂物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一极性类型为n型。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括形成围绕该互连结构的隔离沟槽，以将该互连结构与该支撑基板的部分隔离。

6.根据权利要求5所述的方法，包括以介电材料填充该隔离沟槽，其中，该介电材料填充该隔离沟槽且位于该支撑基板的该第一主要表面上。

7.根据权利要求6所述的方法，包括移除在该支撑基板上的过量介电材料，以形成在该支撑基板的该第一主要表面上的平坦的第一表面介电层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，该部分穿孔栓塞是通过深度反应离子蚀刻所形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成部分穿孔栓塞包括：

图案化该支撑基板以形成部分通孔；

将导电材料沉积于该支撑基板上并填充该部分通孔；以及

移除该支撑基板上的过量导电材料，以留下耦合至该部分穿孔栓塞的穿孔衬垫。

10.根据权利要求9所述的方法，包括在该第一表面介电层上形成介电层。

11.根据权利要求10所述的方法，包括在该介电层中形成接触开口，以暴露该穿孔衬垫。

12.根据权利要求11所述的方法，包括在该介电层上形成耦合至该穿孔衬垫的导电轨迹。

13.根据权利要求1所述的方法，包括于该支撑基板上附接半导体装置。

14.一种形成半导体封装件的方法，包括：

提供具有第一及第二主要表面的支撑基板；

形成穿过该支撑基板中的该第一及第二主要表面的互连结构，该互连结构具有第一及第二部分，该第一部分自该第一或第二主要表面中的一者延伸，且该第二部分自该第一及第二主要表面中的另一者延伸，其中，形成该互连结构包含：

于该互连结构的第一部分中形成包括导电材料的部分穿孔栓塞，该穿孔栓塞具有大约位于该第一及第二部分的接口的底部；以及

于该互连结构的第二部分设置具有第一极性类型的掺杂物的重掺杂第二部分；以及

在该支撑基板上设置半导体装置。

15.一种装置，包括：

支撑基板，具有第一及第二主要表面；

互连结构，穿过该支撑基板中的该第一及第二主要表面，该互连结构具有第一及第二部分，该第一部分自该第一或第二主要表面中的一者延伸，且该第二部分自该第一及第二主要表面中的另一者延伸，其中，该互连结构包含：

部分穿孔栓塞，包括位于该互连结构的第一部分中的导电材料，该穿孔栓塞具有大约位于该第一及第二部分的接口的底部，且

该互连结构的第二部分重掺杂有第一极性类型的掺杂物。

16.根据权利要求15所述的装置，其中，该导电材料包括多晶硅。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，该多晶硅掺杂有该第一极性类型的掺杂物。

18.根据权利要求15所述的装置，其中，该第一极性类型为n型。

19.根据权利要求15所述的装置，包括隔离沟槽，该隔离沟槽围绕该互连结构，以将该互连结构与该支撑基板的部分隔离。

20.根据权利要求19所述的装置，其中，该隔离沟槽包含介电材料。