[发明专利]光电设备有效
申请号: | 201110419767.4 | 申请日: | 2008-09-26 |
公开(公告)号: | CN102522422A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | E·C·史密斯 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/30;G06F3/041 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 设备 | ||
1.一种无源矩阵显示器,包括:
布置在多个阳极线和多个阴极线之间的二极管阵列,其中至少一部分二极管是相对于所述阴极线和所述阳极线定向在正向方向的发光二极管,并且其它二极管是相对于所述阴极线和所述阳极线定向在反向方向的感光二极管,以及
感测电路,所述感测电路至少耦接到与所述感光二极管电接触的阳极线和阴极线,所述感测电路被配置为感测由所述感光二极管产生的电流,
其中所述二极管阵列中的每个二极管包括:由适合于注入正电荷载流子的材料制成的阳极;由适用于注入负电荷载流子的材料制成的阴极;以及布置在阳极和阴极之间的光电活性材料。
2.如权利要求1所述的无源矩阵显示器,包括驱动电路,所述驱动电路连接到所述阳极线和所述阴极线,并且被配置为相对于所述阴极线正偏置所述阳极线。
3.如权利要求1或2所述的无源矩阵显示器,其中每个二极管包括阳极材料层、阴极材料层和布置在阳极材料层、阴极材料层之间的光电活性材料。
4.如权利要求3所述的无源矩阵显示器,其中定向在正向方向的发光二极管的阳极材料被布置为与所述阳极线相邻并且与述阳极线电连接,并且所述发光二极管的阴极材料被布置为与所述阴极线相邻并且与所述阴极线电连接,并且其中
定向在反向方向的感光二极管的阳极材料被布置为与所述阴极线相邻并且与所述阴极线电连接,并且所述感光二极管的阴极材料被布置为与所述阳极线相邻并且与所述阳极线电连接。
5.如权利要求3所述的无源矩阵显示器,其中所述阳极线被布置在所述二极管阵列的一侧上,所述阴极线被布置在所述二极管阵列的相反侧上,以与所述阳极线相邻的阳极材料和与所述阴极线相邻的阴极材料形成所述发光二极管,并且以与所述阴极线相邻的阳极材料和与所述阳极线相邻的阴极材料形成所述感光二极管。
6.如权利要求3所述的无源矩阵显示器,其中所述感光二极管中的阳极材料层和阴极材料层被以与所述发光二极管中相同的顺序布置,并且所述阴极线和所述阳极线被布线通过所述二极管阵列,从而所述阴极线接触所述发光二极管的阴极和所述感光二极管的阳极,并且所述阳极线接触所述发光二极管的阳极和所述感光二极管的阴极。
7.如权利要求3所述的无源矩阵显示器,其中所述阴极材料具有小于3.5eV、更优选地小于3.2eV、最优选地小于3eV的功函数。
8.如权利要求3所述的无源矩阵显示器,其中所述阳极材料具有大于3.5eV、更优选地大于4.0eV、最优选地大于4.5eV的功函数。
9.如权利要求3所述的无源矩阵显示器,其中用于所述感光二极管的阳极层和阴极层的材料是相同的。
10.如权利要求9所述的无源矩阵显示器,其中用于感光二极管的阳极层和阴极层的材料具有在范围3到4.5eV之间,更优选地在3.2到4.3eV范围之间,并且最优选地在3.5到4.3eV范围之间的功函数。
11.如权利要求1所述的无源矩阵显示器,其中所述阴极线和所述阳极线按列和行进行布置。
12.如权利要求11所述的无源矩阵显示器,其中所述二极管阵列包括一些列或行的感光二极管。
13.如权利要求12所述的无源矩阵显示器,其中所述二极管阵列包括所述感光二极管和所述发光二极管的交替的行和列。
14.如权利要求1所述的无源矩阵显示器,其中所述感光二极管被与所述发光二极管并排地布置在衬底上。
15.如权利要求1所述的无源矩阵显示器,其中所述感光二极管以叠层布置配置在所述发光二极管之上或之下。
16.如权利要求1所述的无源矩阵显示器,其中所述感光二极管和/或发光二极管包括电荷注入层和/或电荷传输层。
17.如权利要求1所述的无源矩阵显示器,其中所述感光二极管的一个或更多个层被掺杂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的