[发明专利]一种利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器

权利要求书

1.一种利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器，其特征在于，该近红外探测器从上到下依次包括高红外透过率的透明玻璃（1）、透明电极（2）、光电转换材料（3）、氧化铟锡纳米颗粒（4）及背电极（5）；

入射红外辐射经过透明玻璃（1）、透明电极（2）和光电转换材料（3）后，部分红外辐射被局域在氧化铟锡纳米颗粒（4）表面，产生散射并形成表面等离子体激元传输模式，增加了入射电磁波在光电转换材料（3）中的有效传输距离。

2. 根据权利要求1所述的利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器，其特征在于，在探测器的光电转换材料（3）与背电极（5）或光电转换材料（3）与透明电极（2）之间制备有一层氧化铟锡纳米颗粒（4）。

3. 根据权利要求1或2所述的利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器，其特征在于，氧化铟锡纳米颗粒（4）为纳米球或纳米棒或纳米碟或纳米方块的纳米结构。

4. 根据权利要求1或2所述的利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器，其特征在于，透明电极（2）的制备方法包括磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶凝胶法、热蒸发法及化学合成法中，透明电极（2）的材质为高导电性的红外透明材料。

5. 根据权利要求1或2所述的利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器，其特征在于，光电转换材料（3）为Si、Ge、Zn、Au、Cu、Hg、InAs、InSb、HgCdTe、PbSnTe等金属或半导体材料及其掺杂材料中的任一种。

6. 根据权利要求1或2所述的利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器，其特征在于，氧化铟锡纳米颗粒（4）是一种近红外表面等离子体增强的纳米介质材料，尺寸大小为几个纳米到数百纳米之间，氧化铟锡纳米颗粒（4）的制备通过磁控溅射法、 激活反应蒸发法、 化学气相沉积及溶胶凝胶法中的任一种制备。

7. 根据权利要求1或2所述的利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器，其特征在于，背电极（5）由金属或导电半导体薄膜构成。

8. 根据权利要求7所述的利用氧化铟锡纳米颗粒增效的近红外光电探测器，其特征在于，金属或导电半导体薄膜包括铝、金、银、铜、不锈钢、掺铝氧化锌或掺氟氧化锡。