[发明专利]一种基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法

权利要求书

1.一种基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

首先，在衬底（1）表面涂覆负性光刻胶（2），

然后进行前烘：将旋涂有负性光刻胶（2）的衬底进行前烘，去除负性光刻胶的溶剂；

接着曝光：扩散片（4）位于掩膜板（3）之上，利用扩散片和掩膜板作为掩膜对负性光刻胶进行紫外曝光；

最后进行后烘和显影：曝光区域中的负性光刻胶在后烘中交联，不溶于显影液，得到具有特定的截面结构，即顺序排列为衬底（1）、负性光刻胶（2）、掩膜板（3）、扩散片（4），入射波（5）从扩散片（4）上射入；

扩散片和掩膜板一起作为掩膜参与光刻胶的曝光。

2.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，其特征在于：所述的曝光包括接触式曝光或微距曝光或步进投影曝光其中任意一种。

3.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，其特征在于：所述的入射波（5）是单色光产生的单波长激光，单波长激光的波长范围是紫外、可见或者红外波段，入射波（5）是有光谱宽度的光产生的光，光的波长范围是紫外至红外波段。

4.根据权利要求3所述的基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，其特征在于：所述单色光产生的单波长激光是激光器产生的单波长激光，有光谱宽度的光产生的光是高压汞灯产生的光。

5.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，其特征在于：所述的扩散片（4）的类型是掺杂粒子型或表面微结构型或者二者结合的类型，或扩散片（4）是由多片扩散片组成的扩散片组。

6.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，其特征在于：所述的扩散片（4）位于掩膜板（3）之上，扩散片（4）与掩膜板（3）紧贴或者相隔数微米至几十厘米的距离，扩散片（4）与掩膜板（3）制作为一整体。

7.根据权利要求1所述的基于负性光刻胶的扩散片光刻工艺方法，其特征在于：所述的衬底（1）包括玻璃、硅片、聚合物薄片。