[发明专利]层叠电感器无效
申请号: | 201110420993.4 | 申请日: | 2007-05-31 |
公开(公告)号: | CN102436902A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 冈部健次;中村和彦;川田敏文;丸山喜和 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F27/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;季向冈 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 电感器 | ||
本案是申请日为2007年5月31日、申请号为200710105457.9、发明名称为“层叠电感器”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及层叠电感器。
背景技术
层叠电感器是将磁性体陶瓷层和导电体层做成层叠体,并将螺旋状导电体的线圈设置在磁性体陶瓷中的电感器,当施加预定值以上的直流电流时,因磁饱和而产生电感降低的现象。这种现象可以通过如下方式来改善:对闭磁路型层叠体电感器进行开磁路化,具体地说,如背景技术1(专利文献1)的图17所示,在层叠体的磁性体层101之间插入非磁性的绝缘体层103。
另外,人们提出了如下方案:如背景技术2(专利文献2)的图18所示,通过使磁性体陶瓷201的被线圈202包围的部分的至少一部分为非磁性绝缘体陶瓷203,来改善直流叠加特性。
专利文献1:日本特开昭56-155516号公报
专利文献2:日本特开平11-97245号公报
发明内容
但是,在使非磁性的绝缘体层插入在磁性体层之间的背景技术1(专利文献1)的层叠电感器中,存在如下问题:由于非磁性的绝缘体层在层叠电感器的内部和外部截断磁路,所以电感值大幅度地降低。另外,在使被线圈包围的部分的至少一部分为非磁性绝缘体陶瓷的背景技术2(专利文献2)的电感器中,存在这样的课题:相比磁性体陶瓷2的被线圈包围的部分的中心,构成线圈的导电体层2和非磁性绝缘体陶瓷3相接触的部分的磁通量密度变高,但是,由于在使非磁性绝缘体陶瓷3的厚度变薄的情况下,构成线圈的导电体层2和非磁性绝缘体陶瓷3的接触状态不稳定,所以由非磁性绝缘体陶瓷3进行的抑制磁通量通过的作用容易产生差异,在施加了直流电流时,不能得到直流叠加特性的改善效果,以10~30%的比例产生电感值从初始的电感值急剧地下降的器件。另一方面,当为了不产生上述差异而使上述非磁性绝缘体陶瓷的厚度变厚时,与背景技术1(专利文献1)的层叠电感器相同,因截断层叠体电感器的磁路而不能避免电感值的大幅度下降。
本发明的目的在于,提供一种能够无差异地改善电流直流叠加特性并能够获得高电感值的层叠电感器。
为了实现上述目的,本发明的层叠电感器,设置有层叠多个由磁性体做成的第一绝缘体层的层叠体;以及对每个上述第一绝缘体层形成的带状导电体层被相互连接,在上述层叠体的内部形成为螺旋状的至少一个线圈;其特征在于:
以横穿上述螺旋状线圈的内侧磁路和外侧磁路中的任意一个磁路的方式配置有第二绝缘体层,所述第二绝缘体层具有比上述第一绝缘体层的导磁率低的导磁率,并且,
上述第二绝缘体层的主面边缘部的至少一部分和上述导电体层在层叠方向上重叠,并且,在该重叠的部分,上述第二绝缘体层和上述导电体层接触。
从剖视图可知,与背景技术1(专利文献1)那样在层叠体的磁性体层101之间完全插入非磁性绝缘体层103的结构不同。
上述导电体层的附近最容易磁饱和,越远离上述导电体层就越难以磁饱和。在增加直流电流时,若不防止上述导电体层附近的磁饱和则特性将会下降。另外,若在未磁饱和的部分也配置导磁率低的绝缘层,则电感下降。
本发明能够防止使上述导电体层的附近可靠地磁饱和,无差异地改善电流直流叠加特性并提高电感。
主要形式之一的特征是,上述第二绝缘体层和上述导电体层在面方向和厚度方向接触。
本发明的层叠电感器,层叠由磁性材料构成的多个第一绝缘体层和多个导电体层,在层叠体的内部设置螺旋状线圈,
以横穿上述螺旋状线圈的内侧磁路和外侧磁路中的任意一个磁路的方式配置有第二绝缘体层,所述第二绝缘体层具有比上述第一绝缘体层的导磁率低的导磁率,并且,
上述第二绝缘体层的主面边缘部的至少一部分和上述导电体层在层叠方向上重叠,并且,在上述重叠的部分,上述第二绝缘体层和上述导电体层接触。
因此,根据本发明,能够提供一种在层叠体内部与导电体层接触的、磁通量密度最容易变高的部分的磁通量不可避免地通过上述第二绝缘体层,从而可以无差异地改善电流直流叠加特性的层叠电感器。
本发明的上述目的和其他目的、结构特征、作用效果可由以下的说明和附图得以明确。
附图说明
图1是表示本发明的层叠电感器的实施例1的外观的、透视部分内部结构的立体图。
图2是表示上述实施例1的内部结构的、沿着图1的A-A线的剖视图。
图3是用于说明上述实施例1的内部结构的分解立体图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太阳诱电株式会社,未经太阳诱电株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110420993.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。