[发明专利]一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测方法有效
申请号: | 201110421626.6 | 申请日: | 2011-12-15 |
公开(公告)号: | CN103165488A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 汪明刚;李超波;屈芙蓉;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/265 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 piii 工艺流程 控制 在线 剂量 均匀 检测 方法 | ||
1.一种PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测方法,其特征在于,所述方法基于PIII工艺流程控制和在线剂量、均匀性检测装置,所述在线检测PIII剂量和均匀性的装置的终端部件包括工作腔室、气源、功率源、偏压源、偏压电极、真空系统、法拉第杯系统、冷却系统、信号检出系统、信号处理与控制系统和人机交互介面;其中,所述偏压电极上具有用于放置需要对其进行PIII工艺流程的基片的区域;
在所述区域空载的情况下执行PIII工艺流程,包括以下步骤:
通过所述人机交互界面输入初始条件;
所述信号处理与控制系统接收来自所述人机交互界面的初始条件信号,并且,将所述初始条件信号转化成相应终端部件的控制信号后传输给相应的终端部件;
所述相应终端部件接收所述控制信号,并根据所述控制信号进行动作,并产生初始实时状态参数,其中,所述PIII剂量和均匀性由所述信号检出系统检实时检出,所述初始实时状态参数信号、所述PIII剂量和均匀性分别被传输给所述信号处理与控制系统;
所述信号处理与控制系统将所述初始条件和所述初始实时状态参数进行对比,所述信号处理与控制系统将所述实时检测得到的PIII剂量和均匀性与限定条件进行对比,当所述初始实时状态参数和所述初始条件的偏差在容许范围内,并且,所述PIII剂量和均匀性达到限定的条件时,在所述区域加载所述基片;
在所述区域加载有所述基片的情况下执行所述PIII工艺流程,当所述工艺流程达到执行完毕的标准时,所述工艺流程结束。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述初始条件包括工作气体流量与配比值、等离子体源功率值、工作压力值、偏压值、偏压功率值、偏压源占空比值和偏压电极冷却温度值。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述初始条件还包括预定的PIII注入时间值和/或预定的PIII注入剂量值。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述初始实时状态参数包括工作气体流量与配比值、等离子体源功率值、工作压力值、偏压值、偏压功率值、偏压源占空比值和偏压电极冷却温度值。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述工艺流程达到执行完毕的标准是所述PIII时间达到所述预定的PIII注入时间和/或所述预定的PIII注入剂量。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在PIII过程中,
所述相应终端部件进行动作,并产生过程实时状态参数,其中,所述PIII注入剂量和均匀性由所述信号检出系统实时检出,所述过程实时状态参数信号和所述PIII注入剂量和均匀性信号分别被传输给所述信号处理与控制系统和所述人机交互界面;
所述信号处理与控制系统将所述初始条件和所述初始实时状态参数进行对比,所述信号处理与控制系统将所述实时检测得到的PIII剂量和均匀性与限定条件进行对比,所述初始实时状态参数和所述初始条件的偏差在容许范围内,并且,所述PIII剂量和均匀性达到限定的条件。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述过程实时状态参数包括工作气体流量与配比值、等离子体源功率值、工作压力值、偏压值、偏压功率值、偏压源占空比值和偏压电极冷却温度值。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,当所述过程实时状态参数与所述初始条件的偏差超出容许范围,或者所述PIII剂量和均匀性与限定条件的偏差超出容许范围时,所述信号处理与控制系统强行终止所述PIII工艺流程。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述信号处理与控制系统还记录相关信息。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于,所述信号处理与控制系统还对针对所述工艺流程的终止报警。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造