[发明专利]一种LDMOS的等效电路

权利要求书

1.一种LDMOS等效电路，其特征在于，包括：

可变电容的第一端连接场效应管的栅极，可变电容的第二端连接场效应管的漏极；场效应管的栅极与可变电容第一端的连接点作为LDMOS等效电路的栅极，场效应管的漏极与可变电容第二端的连接点连接LDMOS等效电路的漏极，场效应管的源极作为LDMOS等效电路的源极。

2.根据权利要求1所述的LDMOS等效电路，其特征在于，场效应管的漏极与可变电容第二端的连接点，该连接点与LDMOS等效电路的漏极之间串接电阻。

3.根据权利要求1或2所述的LDMOS等效电路，其特征在于，所述电阻的电学模型为：

Rd＝rd0*(1+pvc*abs(v(d，di)))*(1+pvb*abs(v(d，di)))/((w+wa)*1e6)*(1+ptc*dtemp)；

其中，rd0表示LDMOS漏极在温度为27℃下单位宽度电阻；pvc表示LDMOS漏极电阻的漏源电压系数；pvb表示LDMOS漏极电阻的衬偏电压系数；wa表示窄沟调节参数；ptc表示LDMOS漏端电阻温度系数；w表示LDMOS的沟道宽度；v(d，di)表示电阻两端的电压。

4.根据权利要求1至3任一项所述的LDMOS等效电路，其特征在于，还包括：

LDMOS等效电路的漏极连接第一二极管的阴极，第一二极管的阳极接地。

5.根据权利要求1至4任一项所述的LDMOS等效电路，其特征在于，场效应管的漏极连接第二二极管的阴极，第二二极管的阳极连接场效应管的源极。

6.根据权利要求1至5任一项所述的LDMOS等效电路，其特征在于，所述可变电容的电学模型为：

可变电容Cgd＝(c0/(pwr((1-(min(0，v(s，d)))/vj)，mj)))*w

其中，c0表示LDMOS等效电路所对应LDMOS的漏极和源极间电压差为0时，栅极到漏极单位宽度的交叠电容；vj表示LDMOS的内建电势；mj表示电容指数系数；v(s，d)表示LDMOS的源极和漏极之间的电压；w表示LDMOS的沟道宽度；pwr是幂指数函数。