[发明专利]提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法

权利要求书

1.一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，其特征在于，包括：

将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中；

向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳，所述四氯化碳与所述聚四氟乙烯薄膜表面发生碳化学吸附，使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面；

向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质，所述含羟基基团的物质与所述聚四氟乙烯薄膜表面发生卤代反应，待反应完全后，所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构；

逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。

2.如权利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，其特征在于：

所述四氯化碳的流量为5sccm-30sccm，暴露时间为0.02s-0.5s。

3.如权利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，其特征在于：

所述含羟基基团的物质为水。

4.如权利要求3所述的提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，其特征在于：

所述水的流量为5sccm-50sccm，时间为0.3s-1s。

5.如权利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，其特征在于，所述将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中之后还包括：

向所述原子层沉积设备反应腔中通入氢气和氩气的混合气体，并启动等离子体放电，电离后的氢气在聚四氟乙烯薄膜表面进行化学取代反应，在所述聚四氟乙烯薄膜表面形成碳氢键。

6.如权利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，其特征在于，所述在向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳的步骤之前还包括：

向原子层沉积设备反应腔通入氩气或氮气，通入流量为20sccm，时间为5s-10s。

7.如权利要求1所述的提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，其特征在于，所述在向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质的步骤之前还包括：

向原子层沉积设备反应腔通入氩气或氮气，通入流量为20sccm，时间为5s-10s。