[发明专利]射频LDMOS多晶硅沟道平坦化的工艺方法

权利要求书

1.射频LDMOS多晶硅沟道平坦化的工艺方法，其特征在于，在淀积多晶硅后，对多晶硅沟道表面进行平坦化处理的步骤包括：

1)在多晶硅上涂布底部有机抗反射层；

2)底部有机抗反射层回刻；

3)多晶硅主刻蚀，清除沟道区域以外的多晶硅；

4)多晶硅过刻蚀，使沟道内的多晶硅表面平坦化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述底部有机抗反射层的厚度在2000埃米以上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，回刻的刻蚀条件为：使用以四氟化碳或氯气为主的刻蚀气体，压力5～20毫托，上部电极功率150～350W，下部电极电压-70～-210V。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，步骤2)，刻蚀掉的厚度不小于步骤1)涂布的底部有机抗反射层厚度的150％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，刻蚀条件为：使用以六氟化硫气体为主的刻蚀气体，压力10～30毫托，上部电极功率450～700W，下部电极电压-120～-250V。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤3)，所述刻蚀气体中还包含有辅助气体氯气和氦气。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，用光波检测刻蚀终点。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，刻蚀条件为：使用以氯气、溴化氢和氧气为主的刻蚀气体，压力10～30毫托，上部电极功率150～400W，下部电极电压-50～-150V。