[发明专利]一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法，其特征在于：第一步，在衬底上利用等离子体增强化学气相沉积的方法制备一层非晶硅薄膜，即非晶孵化层，再利用氢等离子体处理非晶硅薄膜，使其晶化得到籽晶层；第二步，在籽晶层上按与第一步相同的条件继续沉积生长得到微晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述第一步，微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积的方法，在微波功率600W，氢气流量20sccm，硅烷（5%体积浓度，Ar稀释）流量10sccm，基片温度200℃条件下沉积20分钟。

3.根据权利要求1所述的一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述第一步，利用氢等离子体处理工艺是：微波功率600W，氢气流量20sccm，基片温度200℃。

4.根据权利要求1－3任一所述的一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述第一步非晶硅薄膜的厚度为10-70nm。

5.根据权利要求1-3任一所述的一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述第一步氢等离子体处理非晶硅薄膜的处理时间为1-10min。

6.根据权利要求1－3任一所述的一种两步生长制备无孵化层微晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述第二步，在籽晶层上继续沉积生长得到微晶硅薄膜，其微波功率为400-700W、氢气流量为15-40sccm、硅烷流量5-10sccm、沉积温度不高于300℃、工作气压为0.1-1Pa、沉积时间为1-5h。