[发明专利]一种IGBT过温保护电路

权利要求书

1.一种IGBT过温保护电路，其特征在于：包括有1个正相的滞环比较电路、1个基于光耦的隔离电路、1个三态八位转换器和1个电阻R12，其中正相的滞环比较电路的输出端连接基于光耦的隔离电路输入端，基于光耦的隔离电路输出端连接三态八位转换器的使能端OE，三态八位转换器的方向控制端T/R端接电阻R12的一端，电阻R12的另一端接数字电源5V正端，三态八位转换器为5V电源供电，A组接PWM信号的输入，B组接PWM信号的输出。

2.根据权利要求1所述的IGBT过温保护电路，其特征在于所述的正相的滞环比较电路包括有电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R13与电阻R14共9个电阻和1个比较器U2A，电阻R1为IGBT内部的NTC，R1一端接隔离的5V电源正极，电阻R1另一端接电阻R5的一端和电阻R9的一端，电阻R5的另一端接隔离电源的参考地，电阻R9的另一端接电阻R8的一端和比较器U2A的反相输入端，电阻R8的另一端接比较器U2A的输出端和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接隔离5V电源正端；电阻R14一端接隔离5V电源正端，电阻R14另一端接电阻R13的一端和电阻R6的一端，电阻R13的另一端接隔离电源的参考地，电阻R6的另一端接电阻R7的一端和比较器U2A的正相输入端，电阻R7的另一端接隔离电源5V的正端，比较器U2A为隔离5V电源供电。

3.根据权利要求2所述的IGBT过温保护电路，其特征在于所述的电阻R2为10K欧姆，电阻R5为1K欧姆，电阻R6为2K欧姆，电阻R7为3.4K欧姆，电阻R8为5.76K欧姆，电阻R9为2K欧姆，电阻R132.2K欧姆，电阻R14为8.8K欧姆，比较器U2A的型号为LM393。

4.根据权利要求1所述的IGBT过温保护电路，其特征在于所述的基于光耦的隔离电路包括有电阻R10、电阻R11和光耦U3，正相的滞环比较电路的比较器U2A的输出端连接电阻R10的一端，电阻R10的另一端接光耦U3的发光二极管的输出端，光耦U3的发光二极管的输入端接隔离5V电源的正端，光耦U3的受光三极管集电极接电阻R11的一端，电阻R11的另一端接数字5V正端，光耦U3的受光三极管发射极接数字地。

5.根据权利要求4所述的IGBT过温保护电路，其特征在于所述的电阻R10为330欧姆，电阻R11为10K欧姆，光耦U3的型号为TLP521-1。

6.根据权利要求1所述的IGBT过温保护电路，其特征在于所述的电阻R12为10K欧姆，三态八位转换器的型号为SN74HC245。