[发明专利]只读存储器及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体存储器，尤其是涉及一种只读存储器及其制作方法。

【背景技术】

只读存储器(ROM，read only memory)是半导体存储器的一种。顾名思义，只读存储器只可以读取其已存入的信息，而无法对已存入的信息进行擦除或重新写入。ROM存储数据稳定，即使在没有电源支持的情况下，所存的数据也不会丢失。

只读存储器包含若干个呈阵列排布，用于储存信息的存储单元。目前，市面上较为常见的只读存储器为掩模只读存储器。该掩模只读存储器制作时需要额外的掩模板来形成用于存储信息的存储单元。利用此额外的掩模板离子注入形成两种不同开启电压的存储单元。在读取信息时，利用介于两种开启电压之间的操作电压读取存储单元信息。例如，读取时，低于操作电压的开启电压的存储单元就会开启有相应的电信号获得；高于操作电压的开启电压的存储单元就会处于关闭状态，没有电信号获得。因此，掩模只读存储器存储的信息采用上述方法就可进行有效地读取。

然而，此种掩模只读存储器需要利用到额外的掩模板来形成两种不同开启电压的存储单元，增加了只读存储器的制作成本。

【发明内容】

基于此，本发明提供一种只读存储器及其制作方法，可省去传统掩模只读存储器中额外的掩模板，缩短只读存储器的制作周期以及制作成本。

一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元。只读存储器包含两种不同结构的存储单元。两种存储单元分别为第一MOS管和第二MOS管。第一MOS管的源极和漏极均设有轻掺杂漏区，第二MOS管的源极和漏极其中之一具有轻掺杂漏区或者均无轻掺杂漏区。

进一步地，以两种不同结构的存储单元均为P型存储单元为例，第一MOS管的源极和漏极均设有P型轻掺杂漏区，第二MOS管的源极和漏极其中之一具有P型轻掺杂漏区或者均无P型轻掺杂漏区。

进一步地，以两种不同结构的存储单元为N型存储单元为例，第一MOS管的源极和漏极均设有N型轻掺杂漏区，第二MOS管的源极和漏极其中之一具有N型轻掺杂漏区或者均无N型轻掺杂漏区。

一种上述只读存储器的制作方法，包括以下步骤：

步骤1：提供硅衬底，在硅衬底同时形成两种不同结构的存储单元的有源区；

步骤2：在有源区表面形成两种不同结构存储单元的栅氧介质及控制栅；

步骤3：在第一MOS管控制栅的两侧形成漏极及源极各自的轻掺杂漏区，同时在第二MOS管控制栅的一侧形成漏极的轻掺杂漏区或源极的轻掺杂漏区；或者仅在第一MOS管控制栅的两侧形成漏极及源极各自的轻掺杂漏区；

步骤4：在第一MOS管和第二MOS管的控制栅两侧形成侧壁；

步骤5：在具有侧壁的控制栅两侧同时形成第一MOS管漏极及源极各自的离子掺杂区和第二MOS管漏极及源极各自的离子掺杂区。

进一步地，步骤3包括以下分步骤：

步骤31：在形成有控制栅的硅衬底表面涂覆光阻；

步骤32：去除两种不同结构存储单元中即将形成轻掺杂漏区的区域上的光阻部分；

步骤33：向去除了光阻的区域进行离子注入，形成轻掺杂漏区；

步骤34：去除离子注入后残留在硅衬底表面的光阻。

进一步地，步骤32包括以下步骤：

提供轻掺杂漏区掩模板，将第一MOS管漏极和源极的轻掺杂漏区和第二MOS管漏极或源极的轻掺杂漏区定义在轻掺杂漏区掩模板上；或者仅将第一MOS管漏极和源极的轻掺杂漏区定义在轻掺杂漏区掩模板上；

通过轻掺杂漏区的掩模板，曝光形成有控制栅的硅衬底表面的光阻，显影去除硅衬底表面对应于轻掺杂漏区掩模板上定义的轻掺杂漏区区域上的光阻部分。

上述只读存储器，利用第二MOS管漏极和源极相对第一MOS管具有轻掺杂漏区的漏极和源极只有其一具有轻掺杂漏区或者两者均无掺杂漏区，使得两种MOS管在读取信息时，电流之间的差别可用于判断其存储的“0”或“1”信息。在只读存储器的制作方法中，直接在轻掺杂漏区的掩模板上定义出要形成的轻掺杂漏区位置即可，无需额外的掩模板，因此可以省去传统掩模只读存储器额外的掩模板。

【附图说明】

图1为本发明只读存储器实施例中第一MOS管结构示意图；

图2为本发明只读存储器实施例中第二MOS管结构示意图；

图3为本发明只读存储器实施例中第二MOS管另一种结构示意图；

图4为图1、图2和图3所示的三种MOS管输出的驱动电流示意图；