[发明专利]一种功率开关驱动器、IC芯片及直流-直流转换器有效
| 申请号： | 201110422515.7 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102545560A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨喆;王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H02M3/155 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 开关 驱动器 ic 芯片 直流 转换器 | ||
1.一种功率开关驱动器，包括用于控制P型功率开关的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS，以及用于控制N型功率开关的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS，所述NMOS的栅极和PMOS的栅极分别通过反相器连接到两相不交叠时钟，其特征在于，该功率开关驱动器还包括：
第一电阻，连接在所述NMOS的源极与地之间；以及，
第二电阻，连接在所述PMOS的源极与所述功率开关驱动器的正极之间。
2.根据权利要求1所述的功率开关驱动器，其特征在于，该功率开关驱动器还包括：
连接于所述NMOS的漏级与所述P型功率开关的栅极之间的第三电阻；以及，
连接于所述PMOS的漏级与所述N型功率开关的栅极之间的第四电阻。
3.根据权利要求2所述的功率开关驱动器，其特征在于，
所述第一电阻的阻值，与所述第三电阻的阻值相等；
所述第二电阻的阻值，与所述第四电阻的阻值相等。
4.根据权利要求2所述的功率开关驱动器，其特征在于，所述第一电阻的阻值取值范围为：
100欧姆～400欧姆。
5.根据权利要求2所述的功率开关驱动器，其特征在于，所述第二电阻的阻值取值范围为：
100欧姆～400欧姆。
6.根据权利要求2所述的功率开关驱动器，其特征在于，所述第三电阻的阻值取值范围为：
100欧姆～400欧姆。
7.根据权利要求2所述的功率开关驱动器，其特征在于，所述第四电阻的阻值取值范围为：
100欧姆～400欧姆。
8.一种集成电路IC芯片，其特征在于，该集成电路IC芯片包括权利要求1-7任一权项所述的功率开关驱动器。
9.一种直流-直流转换器，其特征在于，该转换器包括权利要求1-7任一权项所述的功率开关驱动器。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
