[发明专利]一种基于水基粘结剂的碳化硅预制件制备方法

权利要求书

1.一种基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法，其特征是，包括以下步骤：

1)将碳化硅颗粒和水基粘结剂分别预热；所述水基粘接剂由5～10重量份的35wt％-45wt％磷酸二氢铝、5～10重量份的25wt％-35wt％石蜡乳液和5～10重量份的去离子水组成；所述碳化硅颗粒的粒径范围为3μm-140μm，所述预热温度为40℃～70℃；

2)将预热的100重量份的碳化硅颗粒和15-30重量份的水基粘结剂在50℃～70℃捏合机中进行搅拌混合，得混合料；

3)当上述混合料含水率为4％～6％时，将混合料在90℃～120℃下烘干1h～2h，得粉料；

4)将上述粉料经30目～60目筛网进行造粒筛分，然后在40MPa～120MPa压力下进行干法模压成型获得预制件素坯；

5)将素坯置于电阻炉中进行烧结处理，烧结条件为：以每分钟3℃～5℃速率升温至300℃～350℃保温1.5h-2.5h，再以每分钟5℃～10℃速率升温至600℃～800℃保温1h～2h，冷却后获得碳化硅预制件。

2.根据权利要求1所述基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法，其特征是，所述步骤(1)中的水基粘接剂由5重量份的40wt％磷酸二氢铝、7重量份30wt％的石蜡乳液和10重量份的去离子水组成。

3.根据权利要求1所述基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法，其特征是，所述步骤(1)中的水基粘接剂由6重量份的40wt％磷酸二氢铝、8重量份30wt％的石蜡乳液和6重量份的去离子水组成。

4.根据权利要求1所述基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法，其特征是，所述步骤(1)中所述碳化硅颗粒的平均粒径为50μm-60μm，所述预热温度为45℃～60℃。

5.根据权利要求1所述基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法，其特征是，所述步骤(2)将预热的100重量份的碳化硅颗粒和20～22重量份的水基粘结剂在50℃～60℃捏合机中进行搅拌混合，得混合料。

6.根据权利要求1所述基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法，其特征是，所述步骤(4)中在100MPa～120MPa压力下进行干法模压成型获得预制件素坯。

7.根据权利要求1所述基于水基粘接剂的碳化硅预制件制备方法，其特征是，所述步骤(5)中的烧结条件为：以每分钟4℃速率升温至350℃保温2h，再以每分钟6℃速率升温至750℃保温1.5h。