[发明专利]高纯镓的制备方法有效
| 申请号： | 201110423011.7 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103160856A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 朱刘;朱世明 | 申请（专利权）人： | 广东先导稀材股份有限公司 |
| 主分类号： | C25C1/22 | 分类号： | C25C1/22 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨;刘春成 |
| 地址： | 511500 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高纯 制备 方法 | ||
1.一种高纯镓的制备方法，其特征在于，包括步骤：
配制规定浓度的且温度高于镓熔点的氢氧化钠溶液作为电解液；
将配制的电解液装入电解槽中；
将镓原料制作为所述电解槽的阳极板和阴极板；
将所述阳极板和所述阴极板分别装入到所述电解槽的阳极区和阴极区中；
启动所述电解槽的电解循环，进行直流电解，以在所述阴极区获得阴极区电解镓；
直流电解完成后，将所述阴极区电解镓取出并送置于温度低于镓熔点的结晶槽内，以进行结晶，从而获得结晶镓。
2.根据权利要求1所述的高纯镓的制备方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的质量分数为10～40％。
3.根据权利要求1所述的高纯镓的制备方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的温度为30～60℃。
4.根据权利要求1所述的高纯镓的制备方法，其特征在于，所述直流电解的电流密度为50～600A/m2。
5.根据权利要求1所述的高纯镓的制备方法，其特征在于，所述结晶槽的温度为25～28℃。
6.根据权利要求1所述的高纯镓的制备方法，其特征在于，所述阴极区电解镓的结晶时间为8～12h。
7.根据权利要求5所述的高纯镓的制备方法，其特征在于，所述阴极区电解镓在所述结晶槽内进行结晶时伴有搅拌，且搅拌速度为20～30rps。
8.根据权利要求6所述的高纯镓的制备方法，其特征在于，所述阴极区电解镓在所述结晶槽内进行结晶的结晶率为70～80％。
9.根据权利要求1所述的高纯镓的制备方法，其特征在于，还包括步骤：将获得的结晶镓进行清洗。
10.根据权利要求9所述的高纯镓的制备方法，其特征在于，所述清洗采用质量分数为3～5％的盐酸溶液。
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