[发明专利]一种测定半导体薄膜膜厚方向电导率的方法

权利要求书

1.一种绝缘衬底上的半导体薄膜厚度方向电导率的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：

首先，在绝缘衬底上由下而上依次沉积第一条形导电金属薄膜、第一绝缘层、待测半导体薄膜、第二绝缘层及第二条形导电金属薄膜层；其中第一层绝缘层与第二层绝缘层在相同位置留有大小位置完全相同的导电小孔；

其次，使上下两层金属薄膜与中间夹层半导体薄膜通过上下两导电小孔接触导通，形成串联的电流通路；

然后，对该电流通路通入一定电流，并采集半导体薄膜上下两表面在对应于两开孔处之间的电压值；

最后，根据所测得的电压值及所通电流值，再结合半导体薄膜与金属薄膜层的接触电阻，即可求得半导体薄膜厚度方向的电导率。

2.根据权利要求1所述的的测量方法，其特征在于，所述半导体在薄膜厚度方向的电导率为：

G=dR′S]]>

式中，上下两层绝缘层上的开孔面积均为S，d为半导体薄膜厚度，R’为半导体薄膜在厚度方向上面积为S的电阻值。

3.根据权利要求1或2所述的的测量方法，其特征在于，所述电阻值R’通过如下公式得到：

R’＝R-R₁-R₂

式中，R＝U₁/I₁，U₁为半导体薄膜两表面在对应开孔位置之间的电压值，I₁为流过所述电流通路的电流，R₁和R₂分别为上下接触电阻的阻值。

4.根据权利要求1-3之一所述的的测量方法，其特征在于，所述上下接触电阻的阻值R₁和R₂通过由TLM法测得的比接触电阻得到。